描述:IRF840APBF
功率MOSFET
特征:IRF840APBF
•低柵極電荷Qg可實現簡單驅動需求
•改進的門，雪崩和動態dV / dt堅固性
•全面表征的電容和雪崩電壓和當前
•指定有效cos
•符合RoHS指令2002/95 / EC
應用領域:IRF840APBF
•開關模式電源（SMPS）
•不間斷電源
•高速電源開關典型的SMPS拓撲
•兩個晶體管正向
•半橋
•全橋
制造商:Vishay
產品種類:MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術:Si
安裝風格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-220AB-3
通道數量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:500 V
Id-連續漏極電流:8 A
Rds On-漏源導通電阻:850 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V
Qg-柵極電荷:38 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:125 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封裝:Tube
系列:IRF
晶體管類型:1 N-Channel
商標:Vishay Semiconductors
正向跨導 - 最小值:3.7 S
下降時間:19 ns
產品類型:MOSFET
上升時間:23 ns
工廠包裝數量:50
子類別:MOSFETs
典型關閉延遲時間:26 ns
典型接通延遲時間:11 ns
單位重量:6 g
