描述：IRFR320TRPBF
Vishay的第三代功率MOSFET提供了具有快速切換最佳組合的設計師，堅固的設備設計，低導通電阻和成本效益。
DPAK專為使用蒸汽進行表面安裝而設計相，紅外或波峰焊接技術。 直線引線版本（IRFU，SiHFU系列）用于通孔
安裝應用程序。 功耗高達1.5 W在典型的表面貼裝應用中是可行的。
特征：IRFR320TRPBF
•動態dV / dt額定值
•重復雪崩等級
•表面安裝（IRFR320，SiHFR320）
•直引線（IRFU320，SiHFU320）
•提供卷帶包裝
•快速切換
•易于并聯
制造商:Vishay
產品種類:MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術:Si
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:TO-252-3
通道數量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:400 V
Id-連續漏極電流:3.1 A
Rds On-漏源導通電阻:1.8 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓:10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V
Qg-柵極電荷:20 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:42 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
系列:IRFR
晶體管類型:1 N-Channel
商標:Vishay Semiconductors
正向跨導 - 最小值:1.7 S
下降時間:13 ns
產品類型:MOSFET
上升時間:14 ns
工廠包裝數量:2000
子類別:MOSFETs
典型關閉延遲時間:30 ns
典型接通延遲時間:10 ns
單位重量:1.438 g
