-150V正極性P通道HEXFET功率MOSFET，采用D-Pak封裝
優勢：IRFR6215TRPBF
符合RoHS
低RDS（上）
具有一流先進的品質
動態的dv / dt額定值
快速開關
完全雪崩額定值
175°C的工作溫度
P溝道MOSFET
產品種類:MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術:Si
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:TO-252-3
通道數量:1 Channel
晶體管極性:P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:150 V
Id-連續漏極電流:13 A
Rds On-漏源導通電阻:580 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:4 V
Qg-柵極電荷:66 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:110 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
高度:2.3 mm
長度:6.5 mm
晶體管類型:1 P-Channel
類型:Preliminary
寬度:6.22 mm
商標:Infineon Technologies
正向跨導 - 最小值:3.6 S
下降時間:37 ns
產品類型:MOSFET
上升時間:36 ns
工廠包裝數量:2000
子類別:MOSFETs
典型關閉延遲時間:53 ns
典型接通延遲時間:14 ns
零件號別名:SP001571562
單位重量:2 g
