描述：IRFB4710PBF
100V正極N通道HEXFET功率MOSFET，采用TO-220AB封裝
優勢：IRFB4710PBF
寬SOA的平面單元結構
針對分銷合作伙伴的最廣泛可用性進行了優化
根據JEDEC標準的產品認證
硅經過優化，適用于低于100kHz的開關應用
行業標準的通孔電源封裝
高電流承載能力封裝（高達195 A，取決于芯片尺寸）
能夠波峰焊
制造商:Infineon
產品種類:MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術:Si
安裝風格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-220-3
通道數量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:100 V
Id-連續漏極電流:75 A
Rds On-漏源導通電阻:11 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
Qg-柵極電荷:110 nC
Pd-功率耗散:200 W
配置:Single
封裝:Tube
高度:15.65 mm
長度:10 mm
晶體管類型:1 N-Channel
寬度:4.4 mm
商標:Infineon / IR
產品類型:MOSFET
工廠包裝數量:1000
子類別:MOSFETs
零件號別名:SP001556118
單位重量:6 g
