200V正極N通道HEXFET功率MOSFET，采用D2-Pak封裝
優勢：IRFS38N20DTRLP
符合RoHS
具有一流先進的品質
完全完全特性化的雪崩電壓和電流
低柵漏隙，可降低開關損耗
完全完全特性化的的電容，包括有效的Coss以簡化設計
產品種類:MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術:Si
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:TO-252-3
通道數量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:200 V
Id-連續漏極電流:44 A
Rds On-漏源導通電阻:54 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:30 V
Qg-柵極電荷:60 nC
最小工作溫度:- 55 C
Pd-功率耗散:320 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
高度:2.3 mm
長度:6.5 mm
晶體管類型:1 N-Channel
寬度:6.22 mm
商標:Infineon / IR
下降時間:47 ns
產品類型:MOSFET
上升時間:95 ns
工廠包裝數量:800
子類別:MOSFETs
典型關閉延遲時間:29 ns
典型接通延遲時間:16 ns
零件號別名:SP001567672
單位重量:4 g
