NTB60N06T4G正品原裝進口現貨
NTB60N06T4G封裝：TO-263
NTB60N06T4G批號：20+
NTB60N06T4G品牌：ON/安森美
以下為公司現貨庫存，歡迎來電咨詢！
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制造商:
ON Semiconductor
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
TO-263-3
晶體管極性:
N-Channel
通道數量:
1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
60 V
Id-連續漏極電流:
60 A
Rds On-漏源導通電阻:
14 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
- 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:
2 V
Qg-柵極電荷:
81 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 175 C
Pd-功率耗散:
150 W
通道模式:
Enhancement
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
配置:
Single
高度:
4.83 mm
長度:
10.29 mm
系列:
NTB60N06
晶體管類型:
1 N-Channel
類型:
MOSFET
寬度:
9.65 mm
商標:
ON Semiconductor
正向跨導 - 最小值:
35 S
下降時間:
142.5 ns
產品類型:
MOSFET
上升時間:
180.7 ns
子類別:
MOSFETs
典型關閉延遲時間:
94.5 ns
典型接通延遲時間:
25.5 ns
單位重量:
4 g
三星在美建廠或二季度動工 要求10億美元稅收優惠
來源：科創板日報 網絡整理作者：時間：2021-02-05 16:03
三星建廠稅收優惠
三星在美芯片廠有望落地德州，其與當地政府的博弈還在持續。
根據三星電子向美國德克薩斯州提交的文件，該公司正考慮在德州首府奧斯汀投資170億美元建設一個芯片代工廠，新工廠面積達700萬平方英尺（約65萬平方米），可能創造1800個工作崗位，將為外部客戶生產“先進邏輯設備”。如果三星選擇奧斯汀作為新的芯片工廠，該工廠最早將于今年第二季度破土動工，計劃于2023年底完成。
文件中，三星要求奧斯汀當地政府為其提供總價值約10億美元的稅收優惠。其中，三星向奧斯汀所在地特拉維斯縣（Travis County）申請未來20年內減稅100％，價值7.183億美元。特拉維斯縣發言人赫克托?涅托表示，該縣尚未收到三星的正式申請，拒絕進一步評論此事。
對于奧斯汀來說，未來有望從中獲得豐厚回報。擬議中的新工廠預計其員工的初始平均年薪約6.63萬美元。根據三星向該州提交的文件，該廠在運營的前20年中可能為當地帶來86億美元的收入。
三星自去年10月就開始籌建美國新廠，在其位于美國德克薩斯州奧斯汀市的代工廠附近購買了一塊面積達104089平方米的場地，相當于140個足球場。12月開始申請將這些土地用途變更為工業開發用地。
目前，三星在奧斯汀有一家生產計算芯片的工廠，為fabless客戶生產14nm、28nm和32nm制程芯片，尚未配備用于7nm或7微米以下產品的EUV光刻設備。花旗銀行的研究報告曾顯示，目前奧斯汀的工廠產能較小，無法滿足英特爾、高通和特斯拉等公司不斷增加的芯片外包業務。
這一情形或即將轉變。此前1月25日，據華爾街日報報道，三星將跳過4nm工藝，直接建設可量產3nm芯片的新廠。知情人士分析，這可能是三星第一家在美國使用EUV光刻機的晶圓代工廠。
但三星新廠不一定花落奧斯汀，鳳凰城、杰納西、韓國本土的工廠均在三星考慮范圍內。據奧斯汀美國政治報此前1月23日援引知情人士消息，奧斯汀之外，三星還考慮在鳳凰城及其周圍地區尋找新廠址，并在紐約西部的杰納西縣建立了一個大型工業園區。
上述知情人士說，三星是否會繼續在美擴張取決于美國聯邦政府提供的優惠政策，以及地方拿地成本。
新廠址尚未正式敲定，訂單已經如雪片般向三星飛來。2月3日，傳由于臺積電先進制程供不應求，大客戶AMD有意轉移部分代工訂單至三星。另外，1月24日，據韓國經濟日報報道，三星電子已接到英特爾南橋（Southbridge）芯片的生產訂單，可能會在其奧斯汀工廠生產這一芯片，接獲的訂單量將相當于每月15000片晶圓。
