描述：AUIRF7313QTR
專為汽車應用而設計，此蜂窩HEXFET®功率MOSFET的設計采用了最新的
處理技術以實現較低的每硅導通電阻
區。 這種優勢與快速的開關速度和
HEXFET功率MOSFET具有堅固耐用的器件設計
眾所周知，為設計師提供了極為有效的
可靠的設備，可用于汽車和各種
其他應用程序。
特征：AUIRF7313QTR
先進的平面技術
雙N溝道MOSFET
低導通電阻
邏輯電平門驅動
動態dv / dt評級
175°C工作溫度
快速切換
無鉛，符合RoHS
汽車合格
制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SO-8
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續漏極電流: 6.9 A
Rds On-漏源導通電阻: 23 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 33 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 2.4 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Dual
高度: 1.75 mm
長度: 4.9 mm
晶體管類型: 2 N-Channel
寬度: 3.9 mm
商標: Infineon / IR
正向跨導 - 最小值: 7.5 S
下降時間: 11 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 7.3 ns
工廠包裝數量: 4000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 21 ns
典型接通延遲時間: 3.7 ns
單位重量: 540 mg
