描述：IPW65R150CFD

650V CoolMOS™CFD2替代產品是600V CoolMOS™CFD7
650V CoolMOS™CFD2是英飛凌第二代市場領先的高壓CoolMOS™MOSFET，具有集成快速體二極管。CFD2器件是600V CFD后續產品，能效進一步提高。更軟的換向行為以及更優秀的電磁干擾行為， 使這款產品比競爭產品明顯突破優勢。


特征描述：IPW65R150CFD
采用650V技術并集成快速體二極管
硬換向期間限制電壓過沖
與600V CFD技術指標，Qg顯著降低
更窄的RDS（on）可能到RDS（on）典型值窗口
設計介紹容易

與600V CFD技術比較，價格合理

優勢：IPW65R150CFD
體二極管重復換向時Qrr低，從而降低開關損耗
自限制di / dt和dv / dt
低Qoss
減少導通和關斷延遲時間

出色的CoolMOS™質量

潛在應用：IPW65R150CFD
通信
服務器
太陽能
HID燈鎮流器
LED照明

電動交通

IPW65R150CFD

制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V
Id-連續漏極電流: 22.4 A
Rds On-漏源導通電阻: 135 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.5 V
Qg-柵極電荷: 86 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 195.3 W
通道模式: Enhancement
商標名: CoolMOS
封裝: Tube
配置: Single
高度: 21.1 mm
長度: 16.13 mm
系列: CoolMOS CFD2
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 5.21 mm
商標: Infineon Technologies
下降時間: 5.6 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 7.6 ns
工廠包裝數量: 240
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 52.8 ns
典型接通延遲時間: 12.4 ns
零件號別名: IPW65R15CFDXK SP000907038 IPW65R150CFDFKSA1
單位重量: 38 g