描述：IRF620PBF
Vishay的第三代功率MOSFET提供了快速切換的最佳組合的設計師，
堅固的設備設計，低導通電阻和
成本效益。
TO-220AB封裝普遍適用于所有
功耗下的商業應用
功率約為50W。低熱阻
TO-220AB的低包裝成本有助于其
整個行業的廣泛接受
特征：IRF620PBF
•動態dV / dt額定值
•重復雪崩等級
•快速切換
•輕松并行
•簡單的驅動器要求
•符合RoHS指令2002/95 / EC
制造商: Vishay
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 200 V
Id-連續漏極電流: 5.2 A
Rds On-漏源導通電阻: 800 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 14 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 50 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
配置: Single
系列: IRF
晶體管類型: 1 N-Channel
商標: Vishay Semiconductors
正向跨導 - 最小值: 1.5 S
下降時間: 13 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 22 ns
工廠包裝數量: 50
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 19 ns
典型接通延遲時間: 7.2 ns
單位重量: 6 g
