IR MOSFET功率MOSFET系列利用成熟的硅工藝為設計人員提供了廣泛的器件組合，以支持各種應用，例如直流電動機，逆變器，SMPS，照明，負載開關以及電池供電的應用。 具有行業標準尺寸的表面貼裝和通孔封裝，易于設計。
特征描述：IRF630NSTRLPBF
寬SOA的平面單元結構
針對分銷合作伙伴的最廣泛可用性進行了優化
根據JEDEC標準的產品認證
工業標準表面貼裝電源套件
高電流額定值
堅固耐用
多廠商兼容性
行業標準資質等級
標準引腳排列允許更換
高載流能力
制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-263-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 200 V
Id-連續漏極電流: 9.3 A
Rds On-漏源導通電阻: 300 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 23.3 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 82 W
通道模式: Enhancement
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 2.3 mm
長度: 6.5 mm
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 6.22 mm
商標: Infineon / IR
正向跨導 - 最小值: 4.9 S
下降時間: 15 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 14 ns
工廠包裝數量: 800
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 27 ns
典型接通延遲時間: 7.9 ns
單位重量: 4 g
