描述：IRFB20N50KPBF
功率MOSFET
IRFB20N50K，SiHFB20N50K
Vishay Siliconix

特征：IRFB20N50KPBF
•低柵極電荷Qg可實現簡單驅動
需求
•改進的Gate，雪崩和動態dV / dt
堅固性
•全面表征的電容和雪崩電壓
和當前
•低RDS（on）
•符合RoHS指令2002/95 / EC

應用領域：IRFB20N50KPBF
•開關電源（SMPS）
• 不間斷電源供應
•高速電源開關
•硬開關和高頻電路

IRFB20N50KPBF

制造商: Vishay

產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 500 V
Id-連續漏極電流: 20 A
Rds On-漏源導通電阻: 250 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 110 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 280 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
配置: Single
高度: 15.49 mm
長度: 10.41 mm
系列: IRFB
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 4.7 mm
商標: Vishay Semiconductors
正向跨導 - 最小值: 11 S
下降時間: 33 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 74 ns
工廠包裝數量: 50
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 45 ns
典型接通延遲時間: 22 ns
單位重量: 6 g