描述：2N7002KT1G

小信號MOSFET60 V，380 mA，單，N通道，SOT-23

特征：2N7002KT1G
•ESD保護
•低RDS（on）
•表面貼裝封裝
•用于汽車和其他要求獨特的2V前綴現場和控制變更要求； 符合AEC-Q101具備PPAP
•這些設備無鉛，無鹵素/無溴化阻燃劑，并且符合RoHS要求

應用領域：2N7002KT1G
•低壓側負荷開關
•電平轉換電路
•DC-DC轉換器
•便攜式應用程序，例如DSC，PDA，手機等。

2N7002KT1G

制造商:ON Semiconductor
產品種類:MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術:Si
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:SOT-23-3
通道數量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:60 V
Id-連續漏極電流:380 mA
Rds On-漏源導通電阻:1.6 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓:10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V
Qg-柵極電荷:0.7 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:420 mW
配置:Single
通道模式:Enhancement
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
高度:0.94 mm
長度:2.9 mm
產品:MOSFET Small Signal
系列:2N7002K
晶體管類型:1 N-Channel
寬度:1.3 mm
商標:ON Semiconductor
正向跨導 - 最小值:530 mS
下降時間:29 ns
產品類型:MOSFET
上升時間:9 ns
工廠包裝數量:3000
子類別:MOSFETs
典型關閉延遲時間:55.8 ns
典型接通延遲時間:12.2 ns
單位重量:8 mg