描述：BSZ086P03NS3EG
英飛凌高度創新型OptiMOS™系列包括P通道功率MOSFET。這些產品始終滿足電力系統設計關鍵規范中的至規范和性能要求，例如導通電阻特性和品質因數特性。


特征描述：BSZ086P03NS3EG
增強模式
正常合理，邏輯合理或超邏輯合理
雪崩等級
無鉛鍍層；符合RoHS

潛在應用：BSZ086P03NS3EG
消費品
直流-直流
電動交通
電機控制
應用指南
板載充電器

BSZ086P03NS3EG

制造商: Infineon

產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TSDSON-8
晶體管極性: P-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續漏極電流: 40 A
Rds On-漏源導通電阻: 6.5 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 25 V, + 25 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.1 V
Qg-柵極電荷: 57.5 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 69 W
通道模式: Enhancement
商標名: OptiMOS
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 1.1 mm
長度: 3.3 mm
系列: OptiMOS P3
晶體管類型: 1 P-Channel
寬度: 3.3 mm
商標: Infineon Technologies
正向跨導 - 最小值: 30 S
下降時間: 8 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 46 ns
工廠包裝數量: 5000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 35 ns
典型接通延遲時間: 16 ns
零件號別名: BSZ86P3NS3EGXT SP000473016 BSZ086P03NS3EGATMA1
單位重量: 100 mg