描述：IHW15N120E1
分立的1200 V，15 A IGBT和反向并聯二極管，采用TO-247封裝
的反向反向E1 1200 V，采用TO-247封裝的帶有單片集成二極管的15，RC-E IGBT，著重于滿足感應烹飪要求的系統效率和可靠性。 的RC-H3系列。RC-E技術使用具有單片集成反向反向二極管的IGBT來樹立優點成本/易用性的新基準。這個新系列提供了英飛凌反向替代IGBT的可靠質量，并 滿足了軟開關應用的所有需求，與其他通用IGBT參考，價格誘人。
功能概要：IHW15N120E1
低E關和V CE（sat）
專為切換應用而設計
針對18kHz–40kHz的開關頻率進行了性能優化
最常用的正極電壓1200V
好處：IHW15N120E1
高性價比設計的價格與性能領先者
低損耗有利設計達到能效標準
直接替換現有設計
軟開關，具有良好的EMI性能
應用領域：IHW15N120E1
電磁爐
微波爐
制造商: Infineon
產品種類: IGBT 晶體管RoHS: 詳細信息
技術: Si
封裝 / 箱體: TO-247-3
安裝風格: Through Hole
配置: Single
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 1.2 kV
集電極—射極飽和電壓: 1.5 V
柵極/發射極最大電壓: 20 V
在25 C的連續集電極電流: 30 A
Pd-功率耗散: 156 W
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
封裝: Tube
集電極最大連續電流 Ic: 30 A
商標: Infineon Technologies
柵極—射極漏泄電流: 100 nA
產品類型: IGBT Transistors
工廠包裝數量: 240
子類別: IGBTs
零件號別名: IHW15N120E1 SP001391908
單位重量: 6 g
