描述：FF200R17KE4
62毫米1700 V，200 A雙IGBT模塊具有快速的TRENCHSTOP™IGBT4和發射極控制的4二極管。


功能概要：FF200R17KE4
擴展工作溫度T vj op
低V CEsat
無與倫比的魯棒性
具有正溫度系數的V CEsat
隔離基板
標準房
4 kV AC 1分鐘絕緣
CTI> 400的原油
高爬電距離和電氣間隙

好處：FF200R17KE4
一流
最佳電氣性能
最高的可靠性

潛在的應用：FF200R17KE4
電機控制和驅動
風能系統
牽引力
太陽能系統解決方案

FF200R17KE4

制造商: Infineon

產品種類: IGBT 模塊
RoHS: N
產品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 1200 V
集電極—射極飽和電壓: 3.2 V
在25 C的連續集電極電流: 275 A
柵極—射極漏泄電流: 400 nA
Pd-功率耗散: 1.4 kW
封裝 / 箱體: 62 mm
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 125 C
封裝: Tray
高度: 30.5 mm
長度: 106.4 mm
技術: Si
寬度: 61.4 mm
商標: Infineon Technologies
安裝風格: Chassis Mount
柵極/發射極最大電壓: 20 V
產品類型: IGBT Modules
工廠包裝數量: 10
子類別: IGBTs
零件號別名: SP000100707 FF200R12KS4HOSA1
單位重量: 340 g