描述：FP25R12KT3
EconoPIM™2 1200 V，25 A等級的PIM IGBT模塊具有快速的TRENCHSTOP™IGBT3和NTC。集成了整流器和制動斬波器的PIM（電源集成模塊）可節省系統成本。它們可在Econo 2和Econo 3外殼中使用，也可提供焊針。
功能概要：FP25R12KT3
低雜散電感模塊設計
高可靠性和功率密度
銅基板可優化散熱
可焊銷
低開關損耗
高開關頻率
符合RoHS的模塊
好處：FP25R12KT3
精致型模塊概念
優化客戶的開發周期時間和成本
配置規范
快速，可靠和規范的安裝方案
制造商: Infineon
產品種類: IGBT 模塊產品: IGBT Silicon Modules
配置: Hex
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 1200 V
在25 C的連續集電極電流: 40 A
封裝 / 箱體: Econo 2
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 125 C
封裝: Tray
高度: 17 mm
長度: 107.5 mm
技術: Si
寬度: 45 mm
商標: Infineon Technologies
安裝風格: Chassis Mount
柵極/發射極最大電壓: 20 V
產品類型: IGBT Modules
工廠包裝數量: 10
子類別: IGBTs
零件號別名: SP000100446 FP25R12KT3BOSA1
單位重量: 180 g
