JS28F128P33BF70正品原裝進口現貨
JS28F128P33BF70封裝：TSOP56
JS28F128P33BF70批號：20+
JS28F128P33BF70品牌：INTER
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制造商:
Alliance Memory
產品種類:
NOR閃存
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
TSOP-56
存儲容量:
128 Mbit
電源電壓-最小:
2.3 V
電源電壓-最大:
3.6 V
有源讀取電流（最大值）:
26 mA, 28 mA
接口類型:
Parallel
最大時鐘頻率:
40 MHz
組織:
8 M x 16
數據總線寬度:
16 bit
定時類型:
Asynchronous, Synchronous
最小工作溫度:
- 40 C
最大工作溫度:
+ 85 C
速度:
70 ns
商標:
Alliance Memory
濕度敏感性:
Yes
產品類型:
NOR Flash
子類別:
Memory & Data Storage
三星平澤P2新工廠加快投產DRAM，或導入EUV工藝
來源：Ddaily 閃存市場作者：時間：2020-05-09 16:10
三星DRAMEUV工藝
據韓國媒體Ddaily報道，三星正在加快先進工藝的過渡，位于韓國京畿道平澤P2號工廠正在安裝設備，同時建設極紫外光刻（EUV）生產線，計劃生產先進的DRAM。
據行業消息稱，三星與設備商已簽署了設備合同，正在平澤新工廠中安裝半導體設備，將用于批量投產第二代（1ynm）和第三代（1znm）10nm級DRAM，預估初期月產能約3萬片12吋晶圓。
三星2020年第一季度資本支出7.3兆韓元（約60億美元），其中半導體支出為6.0兆韓元（約49億美元），同比增長近一倍。三星還在財報中指出，會將重點放在不斷增長的服務器DRAM需求上，并通過擴大1Ynm技術遷移來增強成本競爭力，同時推進1znm DRAM的技術發展。但隨著電路的物理極限越來越近，改善信號處理速度，降低工作電壓和待機電壓，提高新技術的DRAM產量，成為三星推進EUV工藝量產的動力。
