一般說明:IS34ML02G081-TLI
IS34 / 35ML2G081是256Mx8bit，具有備用8Mx8bit容量。該器件提供3.3V Vcc電源。其NAND單元為固態海量存儲提供了最具成本效益的解決方案市場。存儲器分為可獨立擦除的塊，因此可以保留有效數據，同時刪除舊數據。該器件包含2,048個塊，由64頁組成，由兩個32個NAND結構組成串聯連接的閃存單元。程序操作允許以典型的300us寫入2,112字節的頁面X8器件塊的128K字節的擦除操作通常可以在3ms內完成。頁面模式下的數據可以每個Word 25ns的循環時間讀取。 I / O引腳用作以下端口地址和命令輸入以及數據輸入/輸出。回寫功能可以優化缺陷塊管理：當執行頁面程序時操作失敗，可以將數據直接編程在同一數組部分的另一頁中無需耗時的串行數據插入階段。高速緩存程序功能允許將數據插入高速緩存寄存器，而將數據寄存器復制到Flash陣列中。當將長文件寫入內部時，這種流水線式程序操作可提高程序吞吐量記憶。還實現了緩存讀取功能。此功能可以大大改善必須連續流出頁面時的讀取吞吐量。此設備包括額外的功能：加電時自動讀取。
特征:IS34ML02G081-TLI
靈活高效的內存
建筑
-組織：256Mb x8
-存儲單元陣列：（256M + 8M）x 8位
-數據寄存器：（2K + 64）x 8位
-頁面大小：（2K + 64）字節
-塊擦除：（128K + 4K）字節
-存儲器單元：1bit /存儲器單元
最高性能
-閱讀表現
-隨機讀取：25us（最大）
-串行訪問：25ns（最大）
-寫性能
-程序時間：400us-典型
-塊擦除時間：2ms –典型
低功耗，寬溫度。范圍
-單3.3V（2.7V至3.6V）電壓
供應
-15 mA有效讀取電流
-10 μA待機電流
-溫度等級：
-工業：-40°C至+ 85°C
-擴展：-40°C至+ 105°C
-汽車，A1：-40°C至+ 85°C
-汽車，A2：-40°C至+ 105°C
可靠的CMOS浮柵
技術
-ECC要求：X8-1bit / 512Byte
-續航時間：100K編程/擦除周期
-資料保留時間：10年
制造商:ISSI
產品種類:NAND閃存
RoHS: 詳細信息
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:TSOP-48
系列:IS34ML02G081
存儲容量:2 Gbit
接口類型:Parallel
組織:256 M x 8
數據總線寬度:8 bit
電源電壓-最小:2.7 V
電源電壓-最大:3.6 V
電源電流—最大值:30 mA
最小工作溫度:- 40 C
最大工作溫度:+ 85 C
商標:ISSI
最大時鐘頻率:33 MHz
產品類型:NAND Flash
工廠包裝數量:96
子類別:Memory & Data Storage
