功能概述：FM25V20A-DGTR
FM25V20A是2Mbit非易失性存儲器，采用了先進的鐵電工藝。鐵電隨機存取內存或F-RAM是非易失性的，可以執行讀寫操作類似于RAM。它提供了151年的可靠數據保留同時消除了復雜性，開銷和系統級串行閃存，EEPROM等引起的可靠性問題非易失性存儲器。與串行閃存和EEPROM不同，FM25V20A執行寫操作以公交車速度運行。沒有寫入延遲。數據是
每個字節后立即寫入存儲器陣列成功轉移到設備。下一個公交周期可以無需進行數據輪詢即可開始。除此之外與其他產品相比，該產品具有可觀的書寫耐力非易失性存儲器。 FM25V20A能夠支持1014個讀/寫周期，或多一億倍的寫周期比EEPROM。這些功能使FM25V20A非常適合非易失性內存應用程序，需要頻繁或快速寫入。示例范圍從數據收集到寫次數周期對于要求嚴格的工業控制至關重要，串行閃存或EEPROM的長時間寫入會導致數據丟失。FM25V20A為串行用戶提供了很多好處EEPROM或閃存作為硬件的替代品。的FM25V20A使用高速SPI總線，可增強F-RAM技術的高速寫入能力。裝置包含一個只讀的設備ID，該ID允許主機確定制造商，產品密度和產品修訂。設備規格在工業溫度范圍為–40C至+85C。

特征：FM25V20A-DGTR
■邏輯上2 Mbit鐵電隨機存取存儲器（F-RAM）組織為256 K×8
❐高耐用性100萬億（1014）讀/寫
❐151年的數據保留（請參閱數據保留和耐力表）De NoDelay™寫道
❐先進的高可靠性鐵電工藝
■非常快速的串行外圍設備接口（SPI）frequency最高40 MHz的頻率
❐直接更換串行閃存和EEPROM的硬件
❐支持SPI模式0（0，0）和模式3（1，1）
■完善的寫保護方案using使用寫保護（WP）引腳進行硬件保護using使用禁止寫入指令進行軟件保護
❐適用于1 / 4、1 / 2或整個陣列的軟件塊保護
■設備ID
❐制造商ID和產品ID
■低功耗1 MHz時有300 A的有功電流❐100A（典型值）待機電流❐3A睡眠模式電流
■低壓操作：VDD = 2.0 V至3.6 V
■工業溫度：–40C到+85C
■套餐
❐8引腳小尺寸集成電路（SOIC）封裝
❐8針雙扁平無引線（DFN）封裝
■符合有害物質限制（RoHS）

FM25V20A-DGTR

制造商:Cypress Semiconductor
產品種類:F-RAM
RoHS: 詳細信息
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:TDFN-8
存儲容量:2 Mbit
接口類型:SPI
組織:256 k x 8
電源電壓-最小:2 V
電源電壓-最大:3.6 V
最小工作溫度:- 40 C
最大工作溫度:+ 85 C
封裝:Reel
商標:Cypress Semiconductor
濕度敏感性:Yes
工作電源電壓:2 V to 3.6 V
產品類型:FRAM
工廠包裝數量:2500
子類別:Memory & Data Storage
單位重量:50 mg