賽普拉斯半導體S25FL512S FL-S NOR閃存器件
賽普拉斯S25FL512S FL-S NOR閃存設備是VIO VCC 2.7V至3.6V閃存非易失性存儲設備。這些設備使用65nm MirrorBit技術。使用具有512字節頁面編程緩沖區的Eclipse™體系結構進行設計。 512 Mb S25FL512S FL-S NOR允許用戶在一次操作中編程多達256個字（512字節）。與上一代SPI編程或擦除算法相比，這導致更快的有效編程和擦除。該設備通過SPI連接到主機系統，并支持傳統的SPI單比特串行輸入和輸出。可選的兩位（雙I / O或DIO）和四位（四I / O或QIO）串行命令。 S25FL512S FL-S NOR為傳輸地址的SIO，DIO和QIO提供對雙倍數據速率讀取命令的支持。 S25FL512S FL-S傳輸地址并在時鐘的兩個邊沿讀取數據。通過使用QIO或DDR-QIO命令以支持的更高時鐘速率使用FL-S設備，讀取傳輸速率指令可以與傳統的并行接口，異步，NOR閃存匹配，同時顯著減少信號計數。 S25FL512S FL-S NOR具有高密度性能，并具有各種嵌入式應用所需的靈活性和速度。 S25FL512S FL-S NOR非常適合代碼陰影，XIP和數據存儲。
特征：S25FL512SAGMFIG10
具有多功能I / O的CMOS 3.0 V內核
具有多I / O的串行外圍設備接口
密度
512Mbits（64Mbytes）
串行外設接口（SPI）
SPI時鐘極性和相位模式0和3
雙倍數據速率（DDR）選項
擴展尋址：32位地址
串行命令集和封裝兼容
S25FL-A，
S25FL-K和S25FL-P SPI系列
多I / O命令集和封裝與S25FL-P SPI系列兼容
讀取命令
普通，快速，雙路，四路，快速DDR，雙路DDR，四路DDR
自動引導-上電或重置并在預先選擇的地址處自動執行“普通”或“四方讀取”命令
通用閃存接口（CFI）數據以獲取配置信息
編程（1.5MB / s）
512字節頁面編程緩沖區
用于慢時鐘系統的四輸入頁面編程（QPP）
自動ECC-內部硬件糾錯碼生成，帶單個糾錯碼
清除（0.5至0.65MB / s）
統一的256 KB扇區
耐力騎行
最少100,000個程序擦除周期
資料保留
最低20年數據保留
安全功能
1024字節的一次性程序（OTP）數組
塊保護：
狀態寄存器位可控制對連續范圍的扇區進行編程或擦除的保護。
硬件和軟件控制選項
高級部門保護（ASP）
由引導代碼或密碼控制的單個扇區保護
具有Eclipse™架構的Cypress®65nmMirrorBit®技術
核心電源電壓：2.7V至3.6V
I / O電源電壓：1.65V至3.6V
SO16和FBGA封裝
溫度范圍：
工業級（–40°C至+85°C）\工業級（–40°C至+105°C）
汽車級AEC-Q100 3級（–40°C至+85°C）
汽車級AEC-Q100 2級（–40°C至+105°C）
汽車級AEC-Q100 1級（–40°C至+125°C）
封裝（全部無鉛）
16引線SOIC（3億）
BGA-24 6×8毫米
5×5球（FAB024）和4×6球（FAC024）占地面積選項
已知的好模具和已知的測試模具
相關信息
賽普拉斯FL串行NOR閃存
制造商:Cypress Semiconductor
產品種類:NOR閃存
RoHS: 詳細信息
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:SOIC-16
系列:S25FL512S
存儲容量:512 Mbit
最大時鐘頻率:133 MHz
接口類型:SPI
組織:64 M x 8
定時類型:Synchronous
數據總線寬度:8 bit
電源電壓-最小:2.7 V
電源電壓-最大:3.6 V
電源電流—最大值:90 mA
最小工作溫度:- 40 C
最大工作溫度:+ 85 C
封裝:Tray
存儲類型:NOR
速度:133 MHz
結構:Eclipse
商標:Cypress / Spansion
濕度敏感性:Yes
產品類型:NOR Flash
工廠包裝數量:240
子類別:Memory & Data Storage
商標名:MirrorBit
單位重量:200.700 mg
