應用：IRFS4229TRLPBF
SMPS中的高效同步整流
不間斷電源
高速電源開關
硬開關和高頻電路
特點：IRFS4229TRLPBF
TO-220全球最佳RDS（on）
改進的Gate，雪崩和動態dV / dt
堅固性
完全表征的電容和雪崩
SOA
增強的體二極管dV / dt和dI / dt能力
制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-252-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 250 V
Id-連續漏極電流: 45 A
Rds On-漏源導通電阻: 48 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.8 V
Qg-柵極電荷: 72 nC
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 330 W
通道模式: Enhancement
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 2.3 mm
長度: 6.5 mm
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 6.22 mm
商標: Infineon / IR
正向跨導 - 最小值: 83 S
下降時間: 21 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 31 ns
工廠包裝數量: 800
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 30 ns
典型接通延遲時間: 18 ns
單位重量: 4 g
