描述：IRLU024NPBF
采用I-Pak封裝的55V單N溝道HEXFET功率MOSFET


好處：IRLU024NPBF
針對分銷合作伙伴的最廣泛可用性進行了優化
根據JEDEC標準的產品認證
邏輯電平：針對10 V柵極驅動電壓進行了優化，能夠提供4.5 V柵極驅動電壓
行業標準的通孔電源封裝
能夠波峰焊

IRLU024NPBF

制造商: Infineon

產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-251-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 55 V
Id-連續漏極電流: 17 A
Rds On-漏源導通電阻: 110 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 16 V, + 16 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.8 V
Qg-柵極電荷: 10 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 38 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
配置: Single
高度: 6.22 mm
長度: 6.73 mm
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 2.38 mm
商標: Infineon Technologies
產品類型: MOSFET
工廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
單位重量: 340 mg