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NB685AGQ-Z

發布時間:2021/2/28 14:27:00 訪問次數:272 發布企業:西旗科技(深圳)有限公司




描述:NB685AGQ-Z
NB685為DDR3,DDR3L,LPDDR3和DDR4存儲器提供了密度最高的完整電源。它集成了一個高頻,同步,整流,降壓,開關模式轉換器(VDDQ),該轉換器具有1 A灌入/拉出LDO(VTT)和緩沖低噪聲基準(VTTREF)。
NB685基于MPS專有的開關損耗降低技術和內部低Ron功率MOSFET,可在較寬的輸出電流負載范圍內高效運行。
自適應恒定時間(COT)控制模式可提供快速的瞬態響應并簡化環路穩定性。直流自動調諧環路可提供良好的負載和線路調節。
VTT LDO提供1 A的灌入/拉出電流能力,僅需22μF陶瓷電容器。 VTTREF以出色的1%精度跟蹤VDDQ / 2。
全面的保護功能包括OC限制,OVP,UVP,熱關機和過熱警告(OTW)。
該轉換器需要最少的外部組件,并且采用QFN 3mm x 3mm封裝。


特點與優勢:NB685AGQ-Z
4.5 V至26 V寬工作輸入范圍
兼容IMVP8
靜態電流低至135μA
12 A連續輸出電流
13 A峰值輸出電流
可選超聲波模式
可選500 k / 700 k開關頻率
內置+/- 1 A VTTLDO
1%緩沖VTTREF輸出
快速瞬變的自適應COT
直流自動調諧回路
用POSCAP和陶瓷輸出電容器穩定
過熱警告
內部軟啟動
輸出放電
OCL,OVP,UVP和熱關機
通過EN或電源循環重置閂鎖
QFN 3mm x 3mm封裝

NB685為DDR3,DDR3L,LPDDR3和DDR4存儲器提供了密度最高的完整電源。它集成了一個高頻,同步,整流,降壓,開關模式轉換器(VDDQ),該轉換器具有1 A灌入/拉出LDO(VTT)和緩沖低噪聲基準(VTTREF)。
NB685基于MPS專有的開關損耗降低技術和內部低Ron功率MOSFET,可在較寬的輸出電流負載范圍內高效運行。
自適應恒定時間(COT)控制模式可提供快速的瞬態響應并簡化環路穩定性。直流自動調諧環路可提供良好的負載和線路調節。
VTT LDO提供1 A的灌入/拉出電流能力,僅需22μF陶瓷電容器。 VTTREF以出色的1%精度跟蹤VDDQ / 2。
全面的保護功能包括OC限制,OVP,UVP,熱關機和過熱警告(OTW)。
該轉換器需要最少的外部組件,并且采用QFN 3mm x 3mm封裝。


特點與優勢:NB685AGQ-Z
4.5 V至26 V寬工作輸入范圍
兼容IMVP8
靜態電流低至135μA
12 A連續輸出電流
13 A峰值輸出電流
可選超聲波模式
可選500 k / 700 k開關頻率
內置+/- 1 A VTTLDO
1%緩沖VTTREF輸出
快速瞬變的自適應COT
直流自動調諧回路
用POSCAP和陶瓷輸出電容器穩定
過熱警告
內部軟啟動
輸出放電
OCL,OVP,UVP和熱關機
通過EN或電源循環重置閂鎖
QFN 3mm x 3mm封裝



NB685AGQ-Z

制造商: Monolithic Power Systems (MPS)
產品種類: 開關穩壓器
RoHS: 詳細信息
拓撲結構: Buck
系列: NB685A
封裝: Reel
產品: Voltage Regulators
類型: Synchronous Step-Down Converter
商標: Monolithic Power Systems (MPS)
產品類型: Switching Voltage Regulators
工廠包裝數量: 5000
子類別: PMIC - Power Management ICs

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