製造商: Vishay
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: PowerPAK-1212-8
晶體管極性: N-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 40 V
Id - C連續漏極電流: 40 A
Rds On - 漏-源電阻: 4.5 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 1.1 V
Qg - 閘極充電: 32 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 52 W
通道模式: Enhancement
公司名稱: TrenchFET, PowerPAK
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
系列: SIS
晶體管類型: 1 N-Channel
品牌: Vishay Semiconductors
互導 - 最小值: 65 S
下降時間: 9 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 65 ns
原廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
標準斷開延遲時間: 24 ns
標準開啟延遲時間: 22 ns
每件重量: 1 g
SIS488DN-T1-GE3
發布時間:2021/3/1 10:13:00 訪問次數:178 發布企業:深圳市科雨電子有限公司
上一篇:HPI201612R-R47M
下一篇:HPI201610R-R33M