BC847BS-7-F正品原裝進口現貨

BC847BS-7-F封裝：SOT-363

BC847BS-7-F批號：20+

BC847BS-7-F品牌：DIODES/美臺

以下為公司現貨庫存，歡迎來電咨詢！


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制造商: Diodes Incorporated
產品種類: 雙極晶體管 - 雙極結型晶體管(BJT)
RoHS: 詳細信息
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-363-6
晶體管極性: NPN
配置: Dual
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 45 V
集電極—基極電壓 VCBO: 50 V
發射極 - 基極電壓 VEBO: 6 V
集電極—射極飽和電壓: 400 mV
最大直流電集電極電流: 200 mA
Pd-功率耗散: 200 mW
增益帶寬產品fT: 100 MHz
最小工作溫度: - 65 C
最大工作溫度: + 150 C
系列: BC847B
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
高度: 1 mm
長度: 2.2 mm
技術: Si
寬度: 1.35 mm
商標: Diodes Incorporated
直流集電極/Base Gain hfe Min: 200
產品類型: BJTs - Bipolar Transistors


子類別: Transistors
單位重量: 6 mg

三星官宣X-Cube 3D封裝技術

來源：快科技作者：時間：2020-08-14 09:53

三星X-Cube3D封裝

在Intel、臺積電各自推出自家的3D芯片封裝技術之后，三星也宣布新一代3D芯片技術——X-Cube，基于TSV硅穿孔技術，可以將不同芯片搭積木一樣堆疊起來，目前已經可以用于7nm及5nm工藝。

關于3D芯片封裝，了解半導體芯片技術的玩家應該不陌生了，現有的芯片都是2D平面堆疊的，隨著芯片數量的增多，占用的面積越來越大，不利于提高集成度。

3D封裝顧名思義，就是將芯片從平面堆疊變成了垂直堆疊，類似搭積木那樣一層層疊加，減少了芯片面積，提高了集成度。

臺積電、Intel之前都公布了3D封裝技術，技術風向大同小異，具體的實現方法不同，Intel的3D封裝叫做Foveros，已經在Lakefield芯片上應用，集成了10nm CPU、22nm IO核心。

三星自家的3D封裝技術叫做X-Cube，基于TSV硅穿孔技術將不同芯片堆疊，已經可以將SRAM芯片堆疊到芯片上方，釋放了占用空間，可以堆棧更多內存芯片。

此外，TSV技術還可以大幅縮短芯片之間的信號距離，提高了數據傳輸速度，降低了功耗，并且客戶還可以按需定制內存帶寬及密度。

目前三星的X-Cube技術已經可以用于7nm及5nm工藝，三星將繼續與全球無經驗半導體公司合作，將該技術部署在新一代高性能芯片中。