NTJS4405NT1G正品原裝進口現貨
NTJS4405NT1G封裝：SOT-363
NTJS4405NT1G批號：20+
NTJS4405NT1G品牌：ON/安森美
以下為公司現貨庫存，歡迎來電咨詢！
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制造商:
ON Semiconductor
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
SC-88-6
晶體管極性:
N-Channel
通道數量:
1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
25 V
Id-連續漏極電流:
1.2 A
Rds On-漏源導通電阻:
299 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
- 8 V, + 8 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:
650 mV
Qg-柵極電荷:
1.5 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
630 mW
通道模式:
Enhancement
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
配置:
Single
高度:
0.9 mm
長度:
2 mm
產品:
MOSFET Small Signal
系列:
NTJS4405N
晶體管類型:
1 N-Channel
類型:
MOSFET
寬度:
1.25 mm
商標:
ON Semiconductor
正向跨導 - 最小值:
0.5 S
下降時間:
4.7 ns
產品類型:
MOSFET
上升時間:
4.7 ns
子類別:
MOSFETs
典型關閉延遲時間:
25 ns
典型接通延遲時間:
6 ns
單位重量:
6.200 mg
5G是半導體業的新前景，臺積電抓住機會
來源：芯科技作者：時間：2019-05-24 14:56
5G半導體
晶圓代工廠臺積電今(23)日舉行2019技術論壇，總裁魏哲家親自出席開幕演講，內容聚焦臺積電產業定位及與客戶在先進制程的創新突破。他提到，5G是半導體業產業的新前景、新機會，臺積電一定會抓住，并指出，臺積電今年資本支出保持不變，要以技術、制造及信任取得客戶成功。
魏哲家于演講時首先說，5G時代來臨，加上AI的影響，信息量十分龐大，而搜集大量信息后分析，并做出最佳判斷才是做5G的核心意義。他強調，“5G內一定有半導體存在，是半導體業一個非常好的機會，而臺積電一定會抓住，幫助客戶在5G順利發展”。
他還說，過去做科技發展時，功耗、性能不可兼得，但今時今日已大不相同，每天必須搜集、分析各種信息，而部分設備是需要整天開啟的，未來的趨勢是低功耗、高性能需同時并存。
先進制程方面，臺積電7納米在去年量產，魏哲家表示，目前市面上7納米都是臺積電制造，導入EUV的7納米加強版也已完成，良率與7納米相同;5納米進入試產，預計明年第1季量產，預期許多客戶將從7納米轉入5納米。至于6納米，代理發言人孫又文補充說，6納米IP與7納米完全兼容，但性能更優化，預計明年第1季量產，未來主要提供給客戶的二線產品使用。
臺積電今年資本支出維持100-110億美元，魏哲家說，過去從28納米到16納米、7納米，未來5納米一定會持續開發，而臺積電也將持續投資臺灣，目前臺南18廠開始進設備，他還透露，3納米也已經找好土地，正等待環評通過。2廠及5廠廠長簡正忠補充指出，今年總產能將擴增至1200萬片約當12寸晶圓，預估微幅增加2%，其中，以7納米產能增加最多，總產能將超過100萬片規模，增加近1.5倍。
