NTZD3152PT1G正品原裝進口現貨
NTZD3152PT1G封裝:SOT-563
NTZD3152PT1G批號:20+
NTZD3152PT1G品牌:ON/安森美
以下為公司現貨庫存,歡迎來電咨詢!
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制造商:
ON Semiconductor
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
SOT-563-6
晶體管極性:
P-Channel
通道數量:
2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
20 V
Id-連續漏極電流:
430 mA
Rds On-漏源導通電阻:
900 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
- 6 V, + 6 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:
1 V
Qg-柵極電荷:
1.7 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
280 mW
通道模式:
Enhancement
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
配置:
Dual
高度:
0.55 mm
長度:
1.6 mm
產品:
MOSFET Small Signal
系列:
NTZD3152P
晶體管類型:
2 P-Channel
寬度:
1.2 mm
商標:
ON Semiconductor
正向跨導 - 最小值:
1 S
下降時間:
19 ns
產品類型:
MOSFET
上升時間:
12 ns
子類別:
MOSFETs
典型關閉延遲時間:
35 ns
典型接通延遲時間:
10 ns
單位重量:
3 mg
中國電信:現有4G用戶使用5G業務無需換卡
來源:經濟日報作者:時間:2020-05-14 14:35
中國電信4G用戶5G業務
5月14日消息 據經濟日報消息,中國電信今日就“使用5G網絡或需要換SIM卡”的消息回應稱,中國電信現有4G用戶無需換卡,只要更換成5G手機就能在5G信號已覆蓋的區域使用5G業務。中國電信5G SA安全增強SIM卡主要面向更高安全增強需求的行業應用場景,比如智能制造、車聯網、遠程醫療、智慧城市等領域。
中國電信此前發布了5G SA安全增強SIM卡白皮書,白皮書提出了基本功能要求、架構要求、技術要求,詳細闡述了新增的5G移動性管理、用戶身份隱私保護、安全認證加強、GBA認證、5G接入控制、5G USAT事件等功能與相應的應用場景。
白皮書同時還指出,現階段用戶通過4G卡接入5G網絡,現有的4G卡缺少5G標準中定義的新功能和新增的卡文件與服務,用戶身份數據在通信過程中使用明文傳輸,位置信息不夠精準,已經不能滿足5G網絡的信息與安全要求。隨著5G行業應用的深入拓展,不能很好地去應對各種業務發展的要求,用戶享受不到5G網絡帶來的全新體驗與業務服務。