TK1R5R04PB,LXGQ

製造商: Toshiba
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: D2PAK-3
晶體管極性: N-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 40 V
Id - C連續漏極電流: 160 A
Rds On - 漏-源電阻: 1.5 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 3 V
Qg - 閘極充電: 103 nC
最低工作溫度: -
最高工作溫度: + 175 C
Pd - 功率消耗 : 205 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
封裝: Cut Tape
封裝: Reel
配置: Single
系列: U-MOSIX-H
晶體管類型: 1 N-Channel
品牌: Toshiba
下降時間: 23 ns
濕度敏感: Yes
產品類型: MOSFET
上升時間: 14 ns
原廠包裝數量: 1000
子類別: MOSFETs
標準斷開延遲時間: 82 ns
標準開啟延遲時間: 47 ns
零件號別名: TK1R5R04PB,LXGQ(O
每件重量: 1 g