MMBT4401正品原裝進口現貨
MMBT4401封裝：ON/安森美
MMBT4401批號：20+
MMBT4401品牌：CJ/長電
以下為公司現貨庫存，歡迎來電咨詢！
TW8819-NA2-CRT ，MC79M12CDTRKG ，EFM8BB21F16G-C-QSOP24R ， IGCM15F60GA ， EFM8SB20F32G-B-QFN24R，NAU8810YG ；
MC79M12CDTRKG，TPS61089RNRR，TPA3116D2DADR ， TPA3118D2DAPR ， N32926U1DN ，NUC972DF62Y/61Y ， NUC100RE3DN ，
MINI58ZDE ， TLC5971RGER , BQ25619RTWR , TPS62262TDRVRQ1 , LIF-MD6000-6UMG64I , TSSP4038 , IPW65R110CFDA , CY8C4014SXI421T ,
MFI343S00177 , MK10DN512VLL10 ,MC79M12CDTRKG , SC16IS740IPW, NAU8810YG MC74LCX07DR2G , 74LVC1G08GV,125 , TAS5719PHPR ,
PCM1808PWR , TPS2511DGNR , TPS54331DDAR , MC14052BDTR2G , MC14053BDTR2G , MBRD640CTT4G, TPS7A4001DGNR , TPS7A7001DDAR ,
CS6N70 ,STM32F101VCT6 , XMC1302-T038X0032AB , SC16IS752IBS , PESD5V0X1BCSFYL , BSS131H6327, AW9523BTQR , NSR0530HT1G ,
BSC067N06LS3GATMA1 , MC33078DR2G, BZX384-B5V6，115 , AAT4610IGV-1-T1, 0603ESDA2-TR2 , IRLMS6802TRPBF, AMS1117-5.0V ,
ZXM64N035GTA , RN1317 , IPD600N25N3G , BL5372 , AD9514BCPZ-REEL7 , BQ24314ADSGR , TPS61220DCKR , LM3478MMX , TAS5754MDCAR ,
XC3S50A-4FT256C , TS321QDBVRQ1 , DRV8870DDAR , EPM7128AETC144-7 , EPF10K130EF1484-2 , EP1S80F1020C6 ,
XC4VFX20-10FFG672C , XC4VFX20-10FFG672I , XC5VSX50T-1FFG665I , XC2VP40-6FF1152I , XC5VLX155T-1FFG1136I,
XC7K325T-2FFG900I , XC3S100E-TQG144, XC5VFX100T-2FFG1738I,XC4VFX20-10FF672I , XC3S1600R-4FG320I, AP4306BTTR-G1 ,
SN74LVU04ADBR,BSC057N06 , TS321QDBVRQ1 ,MC79M12CDTRKG,TAS5754MDCAR ,MC79M12CDTRKG, MC79M12CDTRKG ,
PCM1808PWR , TAS5731MPHRR, TPS54202DDCR, TPA3130D2DAPR , TAS5782MDCAR , TPS5548DCAR , TPA3221DDVR, TLV320AIC3254IRHBR ,
TPA3118D2DAPR , PCM5141PWR ,PCM5100APWR.TW8819-NA2-CRT ，MC79M12CDTRKG ，EFM8BB21F16G-C-QSOP24R ，
IGCM15F60GA ， EFM8SB20F32G-B-QFN24R，NAU8810YG ，MC79M12CDTRKG，TPS61089RNRR，TPA3116D2DADR ，
TPA3118D2DAPR ， N32926U1DN ，NUC972DF62Y/61Y ， NUC100RE3DN ， MINI58ZDE ， TLC5971RGER , BQ25619RTWR ,
TPS62262TDRVRQ1 , LIF-MD6000-6UMG64I , TSSP4038 , IPW65R110CFDA , CY8C4014SXI-421T , MFI343S00177 , MK10DN512VLL10 ,
MC79M12CDTRKG , SC16IS740IPW, NAU8810YG , MC74LCX07DR2G , 74LVC1G08GV,125 , TAS5719PHPR , PCM1808PWR ,
TPS2511DGNR , TPS54331DDAR , MC14052BDTR2
PCN(mw)功率：300mw
lc(mA)電流：600mA
BVCBO(V)集電極-基極電壓：60V
BVCEO(V)集電極-發射極電壓：40V
BVEBO(V)發射極-基極電壓：6V
hFE（min）最小放大倍數:100
hFE（max）最大放大倍數：300
hFEVce(v)集電極與發射極電壓：1V
hFElc(mA)集電極電流：150mA
VCE(Sat)V集電極-發射極飽和電壓：0.4V
VCE(Sat)lc(mA)電極電流：150mA
lB(mA)基極電流：15mA
Ft(MHZ)頻率：250MHZ
封裝:SOT-23
黑膠長:最小值2.8mm，最大值3.0mm
黑膠寬：最小值1.2mm，最大值1.4mm
黑膠高：最小值0.9mm，最大值1.0mm
300億美元，能讓美國半導體制造重返巔峰？來源：華強電子網作者：Hobby時間：2021-03-05 18:40
半導體制造
3月5日，據路透社報道，一位美國國會消息人士近日透露，國會參議院正在考慮為之前批準的提振美國芯片制造業相關提案，提供300億美元的資金支持。與此同時，參議院還正在考慮在一項新法案中增加包括限制中國進入美國資本市場的條款，以促進美國科技業的發展。
事實上，引導制造業回流在近十多年來一直是美國政府的目標之一。早在08年美國總統大選上，奧巴馬為了爭取勞工支持，就已經打出“買美國貨，投奧巴馬”的競選口號。但在2009年，由于擔心制造業回流會引發國際貿易戰，奧巴馬最終還是淡化了這一舉措。
然而，2017年特朗普通過稅改等行政命令試圖推動制造業回流，為企業和個人減稅，鼓勵海外企業回流美國。在稅改成效不大之下，特朗普還向美國企業施壓，要求企業將產線從中國移回美國本土，或禁止美企與部分中國企業進行交易等等。至于后來爆發的中美貿易戰，也印證了對“制造業回流會引發國際貿易戰”的擔憂。
去年年底開始，一波半導體史上最大的缺貨潮開始向全球蔓延。美國作為全球最大規模的半導體市場，半導體生產材料以及代工廠卻主要集中于東亞地區，在這波缺貨潮中，美企必然首當其沖。
所以也能夠理解，長期以來在科技、經濟上全面領先于世界的美國，卻在關系到國家技術競爭力的半導體制造上開始落后，所帶來的焦慮。
美國作為集成電路的誕生地，長期以來領導著全球半導體技術發展，至今在某些特定領域仍然處于領先地位。比如在電子設計自動化工具（EDA）、IP核心、半導體設備等綜合市場份額超過50%；分立器件、模擬電路以及光電產品中的制造份額也依然很高。
其實自1990年以來，美國在全球半導體產能中的份額已經從37%縮減到12%。而縮減的份額，基本上都被轉移到亞洲，根據美國工業貿易協會的數據，亞洲國家已占據全球半導體生產的80%。
這一轉變，并不只是由于亞洲制造業的爆發，美國本土制造轉移海外更是重要因素。數據顯示，在2001年到2007年期間，美國電子商品產量增長了160%；但在近10年間，電子商品產量增長率下降到73.68%。伴隨著增長率下降以及生產自動化發展，自2001年以來，美國半導體生產勞動力也縮減了近31%。
美國工商理事會的阿蘭·托納爾森（Alan Tonelson）在文章中認為，亞洲擁有全球半導體制造商的大多數客戶，并且半導體行業的大部分供應鏈也位于亞洲，這使得美企在亞洲的生產份額幾乎與美國本土一樣大。
當然，政府政策是亞洲半導體發展強勁的主因之一。早期，日本、韓國都將戰略重點放在半導體上，利用補貼、減稅等激勵措施支持國內制造業及吸引外資進入。在這段時間，半導體行業的主流也從IDM模式轉變為Fabless，使得半導體公司能夠專注于設計以及商業化，把制造交給國外Foundry合作伙伴，以這種方式降低在大規模資本投資上的風險。
而借助半導體制造模式的轉變，Foundry在東亞迅速崛起。目前，全球約有75%的半導體生產能力集中在東亞，其中，中國臺灣地區在10nm以下先進制程方面已經占全球產能的47%。中國大陸在近年半導體戰略推動下，半導體制造占比也在高速增長，VLSI研究預測，2020年中國半導體制造占全球份額15%，超越美國的12%。
在今年3月1日，美國人工智能國家安全委員會（NSCAI）向美國國會遞交一份長達756頁的2021年度最終建議報告。該份報告中宣稱，中國在人工智能開發領域位于世界前沿，并且半導體制造份額不斷增長，因此呼吁美國政府在微電子產業繼續打壓中國、并遏制中國的高端半導體制造能力，從而“保持對中國的領先”。
2020年，中國大陸實力最強的晶圓代工廠中芯國際被列入實體清單，并被限制涉及美國技術的半導體設備采購。直到今年3月，似乎美國突然放開了對中芯國際的封鎖，ASML與中芯國際續署了DUV光刻機采購協議。
市場分析稱，高通作為美企，每年都有近60萬片左右的電源IC訂單交給中芯國際，但在目前的全球缺芯風波下，高通無法找到能夠補充中芯國際產能空缺的代工廠。因此中芯國際能繼續獲得美國設備供應，以緩解美企的缺芯困境。實際上，中芯國際在2020年Q4營收中，來自美國客戶的占比達到27.7%，是高通、博通等客戶的重要供應商。
另一方面，由于半導體芯片供應短缺，有些美國汽車制造商已經放慢了生產，這進一步暴露出美國本土芯片制造的產能問題。因此，美國政府一直在積極拉攏臺積電、三星等代工廠前往美國建廠。臺積電已經向內部發出通知，證實該公司將斥資約2332億元人民幣在美國亞利桑那州新建6座5nm芯片廠，廠房預計將在今年初開工，2024年投產。
不過，臺積電董事長劉德音表示，盡管將斥巨資在美國建廠，但該公司將會保留最先進技術。與此同時，雖然臺積電提出讓合作伙伴、供應商一同前往美國建廠，但原料的庫存、運輸物流體系并不完善，供應鏈廠商是否能夠一同赴美建廠，還是未知數。
以近年美國政府的政策強度看，未來無疑將進一步加大扭轉其本土半導體制造業劣勢的決心。但去全球化對于資本而言似乎難以實現，對于半導體行業，前往更有潛力的市場是不可逆轉的趨勢。3月1日，我國工信部表示，半導體是全球化的產業，中國愿在全球范圍內加強合作，共同打造芯片產業鏈。前面提到，政府政策是半導體發展的重要原因之一，但或許，不同的政策方向將會產生背道而馳的效果。
