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TW8819-NA2-CRT ,MC79M12CDTRKG ,EFM8BB21F16G-C-QSOP24R , IGCM15F60GA , EFM8SB20F32G-B-QFN24R,NAU8810YG ;
MC79M12CDTRKG,TPS61089RNRR,TPA3116D2DADR , TPA3118D2DAPR , N32926U1DN ,NUC972DF62Y/61Y , NUC100RE3DN ,
MINI58ZDE , TLC5971RGER , BQ25619RTWR , TPS62262TDRVRQ1 , LIF-MD6000-6UMG64I , TSSP4038 , IPW65R110CFDA , CY8C4014SXI421T ,
MFI343S00177 , MK10DN512VLL10 ,MC79M12CDTRKG , SC16IS740IPW, NAU8810YG MC74LCX07DR2G , 74LVC1G08GV,125 , TAS5719PHPR ,
PCM1808PWR , TPS2511DGNR , TPS54331DDAR , MC14052BDTR2G , MC14053BDTR2G , MBRD640CTT4G, TPS7A4001DGNR , TPS7A7001DDAR ,
CS6N70 ,STM32F101VCT6 , XMC1302-T038X0032AB , SC16IS752IBS , PESD5V0X1BCSFYL , BSS131H6327, AW9523BTQR , NSR0530HT1G ,
BSC067N06LS3GATMA1 , MC33078DR2G, BZX384-B5V6,115 , AAT4610IGV-1-T1, 0603ESDA2-TR2 , IRLMS6802TRPBF, AMS1117-5.0V ,
ZXM64N035GTA , RN1317 , IPD600N25N3G , BL5372 , AD9514BCPZ-REEL7 , BQ24314ADSGR , TPS61220DCKR , LM3478MMX , TAS5754MDCAR ,
XC3S50A-4FT256C , TS321QDBVRQ1 , DRV8870DDAR , EPM7128AETC144-7 , EPF10K130EF1484-2 , EP1S80F1020C6 ,
XC4VFX20-10FFG672C , XC4VFX20-10FFG672I , XC5VSX50T-1FFG665I , XC2VP40-6FF1152I , XC5VLX155T-1FFG1136I,
XC7K325T-2FFG900I , XC3S100E-TQG144, XC5VFX100T-2FFG1738I,XC4VFX20-10FF672I , XC3S1600R-4FG320I, AP4306BTTR-G1 ,
SN74LVU04ADBR,BSC057N06 , TS321QDBVRQ1 ,MC79M12CDTRKG,TAS5754MDCAR ,MC79M12CDTRKG, MC79M12CDTRKG ,
PCM1808PWR , TAS5731MPHRR, TPS54202DDCR, TPA3130D2DAPR , TAS5782MDCAR , TPS5548DCAR , TPA3221DDVR, TLV320AIC3254IRHBR ,
TPA3118D2DAPR , PCM5141PWR ,PCM5100APWR.TW8819-NA2-CRT ,MC79M12CDTRKG ,EFM8BB21F16G-C-QSOP24R ,
IGCM15F60GA , EFM8SB20F32G-B-QFN24R,NAU8810YG ,MC79M12CDTRKG,TPS61089RNRR,TPA3116D2DADR ,
TPA3118D2DAPR , N32926U1DN ,NUC972DF62Y/61Y , NUC100RE3DN , MINI58ZDE , TLC5971RGER , BQ25619RTWR ,
TPS62262TDRVRQ1 , LIF-MD6000-6UMG64I , TSSP4038 , IPW65R110CFDA , CY8C4014SXI-421T , MFI343S00177 , MK10DN512VLL10 ,
MC79M12CDTRKG , SC16IS740IPW, NAU8810YG , MC74LCX07DR2G , 74LVC1G08GV,125 , TAS5719PHPR , PCM1808PWR ,
TPS2511DGNR , TPS54331DDAR , MC14052BDTR2
制造商:
Micron Technology
產品種類:
動態隨機存取存儲器
系列:
MT45W
商標:
Micron
產品類型:
DRAM
子類別:
Memory & Data Storage
“瓦森納”復辟——國產半導體設備再陷“世紀恐慌”
來源:華強電子網作者:席安帝時間:2021-03-04 11:17
國產替代半導體設備禁令
“瓦森納”主義再度蘇醒。
為遏制中國AI和半導體科技的反超之勢,日前由前谷歌CEO Eric Schmidt帶領的美國國家人工智能安全委員會(NSCAI)(3月1日)投票通過,并向美國國會提交了該委員會2021年度最終建議報告。這也意味著這份長達756頁的「年終報告」正式獲得美國國會批準,一場以“瓦森納”主義為指導的“中國半導體圍剿戰”再度拉開序幕。
這份報告詳述了如何通過有建樹的行動來遏制中國AI以及半導體技術的發展,尤其是涉及到半導體制造的環節,NSCAI建議國會應該讓芯片制造回歸本土,同時拉攏全球3大光刻機制造商,即尼康、佳能以及ASML等公司對出口中國的半導體設備進行限制,并希望美國與這些公司所在國家進行協調,在每個國家制定“推定拒絕(presumptive denial)”的政策,以對向中國出口先進芯片制造工具實施許可證制度。同時建議將長期存在的監管慣例規范化成為美國國家政策,以將中國的半導體產業限制在落后于美國兩代的程度。
尼康、佳能、ASML,加上美國本土的Applied Materials和泛林半導體,關鍵設備供應源一一被“凍結”。美國新政府此舉,似乎是再次將中國半導體產業釘在了“瓦森納協議”的恥辱柱上。
“瓦森納”主義復辟
《瓦森納協議》,一直都是美國等半導體大國強行拷在中國身上的“世紀枷鎖”。而在瓦森納協議框架的制約之下,中國集成電路想要通過借鑒西方先進經驗來發展,步履維艱。
比如在芯片制造領域,《瓦森納協議》早就瞄準了中國的臺積電,將其早早的列入北約技術封鎖同盟——瓦森納協議體系的清單之中。而受到瓦森納協議的制約,臺積電的制程技術若是未經美國允許,不得向其他企業、國家、機構出讓,甚至連臺積電在海外設置的晶圓FAB都要按照瓦森納協議條款去審核。比如過去臺積電在南京獨資設立的16nm制程12英寸晶圓廠,就受到了美國的百般阻撓,最終以當時的執政黨國民黨在立法院的優勢,才困難重重地通過了南京晶圓廠的投資國會審核。
不止于臺積電,包括三星、英特爾在內的半導體雙雄均受到瓦森納協議框架的約束,這三巨頭已經是壟斷了全球的最高端芯片制程。隨著制程技術門檻的不斷提高,如今僅有臺積電“出圈”,成為一代霸主。但即便如此,中國大陸的半導體設備制造業同國際先進水平還有2-3代的差距,比如中芯國際拿下了14nm,但10nm甚至7nm、5nm制程的設備供應均受到美方禁令的制約,總體來說落后國際先進水平10年以上。眼下,如果無法通過收/并購來進行加速發展,中國半導體的自強之路則變得更加艱難,必須以時間來換空間。
顯然,這種代價是十分巨大的。即便中國半導體業在芯片設計領域,有華為這般潛心投入研究且勉強可以稱為先進水平的企業,但現今也受到了美國的精準打擊。而論高端芯片制造方面,美國此次欲聯合日本和荷蘭來共同將出口中國的半導體設備鉗制在14nm制程,復辟瓦森納協議,定是新任政府和精英班子吸取了前任強硬模式下效果不佳的教訓,選擇了自以為更加“實用”的打法來“圍剿”中國半導體產業。
新的瓦森納體系,能否達到其陰損的目的,阻中國半導體“國產替代”于千里之外,仍有待觀察。但可以預見的是,這場“世紀之爭”必將讓交戰雙方再次付出沉痛的代價。
二手設備爆炒之下,是國產設備的“不被信任”
關鍵設備方面,暫時國產不了不要緊,畢竟從外部購買的“二手貨”,也能支持國內大量晶圓廠對半導體設備的數年甚至數十年的需求。因此,近期國際市場上的二手設備價格被爆炒,行情大熱。
日前,日經中文網報道稱,多家日本國內二手設備廠商設備價格飆升,最近一年里,二手設備的價格平均上漲了2成,尤其是用于在半導體芯片上寫入電路的光刻設備等核心設備甚至漲至3倍以上。針對價格水平,三井住友融資租賃表示“與2008年雷曼危機之后相比,行情漲至10倍以上”。
“二手設備的9成似乎正在流向中國”,三菱UFJ租賃的負責人如此認為。中國力爭推進半導體的國產化,價格上升的背后存在中國需求。制造最尖端半導體的設備采購受到美國限制,中國相關企業似乎正在采購上一代設備。一家二手銷售商透露,“聽說正在搜尋并未運行的庫存”。
最近的半導體生產線多使用300毫米晶圓,制造支持200毫米的設備的企業正在減少。日立資本(Hitachi Capital)表示,“能迅速采購的二手設備的價格甚至超過新產品”,另一家二手企業表示,“數年前等同于白給的設備現在也能賣到1億日元”。在實際的生產線上,“20年前”、“30年前”的設備也在運行。
但站在中國半導體廠商的角度來看,一直沿用老舊的二手設備來做生產畢竟不是長久之計。這種設備不僅生產效率低下,而且產品質量也顯然難以與先進生產線出產的產品相提并論,長期下去也只能是自砸招牌,得不償失。
由此可見,中國國內半導體產業對建立自主晶圓產線和供應鏈究竟有多么渴望,不過這種現象也從側面映襯出國內晶圓廠對國產設備的“不信任”。當然,這種“不信任”也是情有可原,畢竟中國目前離實現半導體設備國產化的目標還相去甚遠。
去年12月17日,清華大學教授、中國半導體行業協會集成電路設計分會理事長魏少軍就曾指出,中國在半導體設備和材料上的核心技術,還處于受制于人的狀態,產品處于中低端的情況還沒有改變。他還對當時日本針對三種半導體材料對韓國實施制裁事件,表示中國目前在半導體裝備和材料上還發展緩慢,要引起警示。
比如,僅在“半導體工藝和材料”領域,中國去年的專利數量大概在10萬量級,這與全球歷史長河中的390萬相比,差距明顯,充分反映出國內創新主體在這類領域的創新活躍度是遠遠不夠的。
但國產替代方面也有好消息頻出,例如上月,國產光刻機主導商上海微電子方面表示,今年將推出首臺28納米沉浸式光刻機,國產28nm光刻機的下線投產,可以全面加快非先進制程芯片上的國產化速度,但先進制程方面,不可避免的會持續受制。
國產設備/材料投資進入“黃金期”
半導體設備和材料的需求如此緊迫,但現階段這兩大領域卻又是外部勢力重點打擊的對象。如今之策,唯有從國內培育自主的國產半導體設備和材料供應商,才有可能真正突破國外技術封鎖,實現核心環節的國產自主。因此,近年來的國內半導體投資圈,除了重點關注IC設計以及晶圓廠這類俯拾即是的項目之外,關鍵半導體設備和材料制造商,也逐漸被VC們納入關鍵標的之列。
而近期,國內的一系列動向都在表明,半導體設備和材料將迎來空前的國產替代時期。以最受關注的上海為例,今日,據證券時報報道,上海臨港新片區3月3日發布集成電路產業專項規劃(2021-2025),提出推動集成電路裝備產業規模化發展,重點支持12英寸高端刻蝕、清洗、離子注入、光刻、薄膜、濕法、熱處理以及光學量測等設備的研發和產業化;華創證券指出,據Counterpoint Research預測,全球領先的代工廠有望在2021年至2023年進行大規模的半導體設備資本投資。隨著國內晶圓廠建設高潮來臨,我國半導體材料市場將迎來爆發。大硅片是半導體材料的最大細分市場,國產化前景十分廣闊。
畢竟,從晶圓線投資額細分看,半導體設備投資占產線總投資的大部分份額,高居75%-80%。其中的設備投資中,晶圓制造環節占比約80%,封裝環節占比約6%,測試環節占比約9%。晶圓制造相關設備中,光刻/鍍膜/刻蝕等環節占比較高,分別為24%、20%、16%,而離子注入、工藝檢測、晶圓加工其他占比為4%、8%、8%。考慮市場空間及技術成熟度,刻蝕/鍍膜環節國內廠商替代潛力較大,國內刻蝕設備龍頭、中微公司有望份額提升。
除此,晶圓前道設備領域對刻蝕、鍍膜、清洗、離子注入、量測環節頗有建樹的北方華創、中微公司、沈陽拓荊、盛美半導體、萬業企業(凱世通)、上海精測、上海勵睿都是頗有潛力的投資標的,同時,在光刻相關的光刻機、涂膠顯影、去膠設備環節種,也有如上海微電子、沈陽芯源、屹唐等。其余清洗、測試環節的至純科技、華峰測控等也是十分優質的標的。
但即便該領域對資金熱切渴望,作為投資方也應該擦亮眼睛,避免“弘芯騙局”的再次上演。尤其是對初創公司的研究和審核不應僅停留于項目表面,還應進行更為深刻的背景調查等等。比如弘芯騙局的教訓中,背后的最早做局者曹山本人僅有小學學歷,而且打著虛假的“原臺積電副總”和“宏碁駐美國紐約第一任副總”的雙title,甚至連曹山這個姓名都是不真實的,以及背后所謂“背景很強”的龍偉,竟能騙過武漢東西湖政府,并將前臺積電COO蔣尚義騙入局中,實在令人匪夷所思。
因此,無論是國產半導體設備/材料亦或是已經大火的IC設計、晶圓制造等項目,對于很多對半導體行業了解不深的投資方來說,都是一汪深水,而且深不可測。即便是整個投資環境在國產替代的大潮以及政策層面頻送東風的支持下相比過去已有很大改觀,但未來可以預見仍將會有持續暴雷的現象,提防“芯騙”必將會是一場曠日持久的戰役。