制造商 Texas Instruments

商品名稱 CSD19531Q5AT

類別 晶體管 - FET，MOSFET - 單

FET 類型 N-Channel

漏源電壓Vdss 100V

漏極電流Id 100000mA（TA）

驅動電壓 6V，10V

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 0.0064Ω@16000mA，10V

Vgs 20V，-20V

功率耗散（最大值） 3.3W（TA），125W（TC）

工作溫度 -55°C~150°C(TJ)

封裝/外殼 PowerTDFN-8

德州儀器 (TI) 設計和制造模擬、數字信號處理和 DLP® 芯片技術,幫助客戶開發相關產品。