商品名稱： MMBT5551LT1G

類別： 晶體管 - 雙極 (BJT) - 單

晶體管類型： NPN

電流 - 集電極（Ic）（最大值）： 600mA

電壓 - 集射極擊穿（最大值）： 160V

不同 Ib，Ic 時的 Vce 飽和值（最大值）： 0.2V@5mA，50mA

電流 - 集電極截止（最大值）： 0.0001mA

不同 Ic，Vce 時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）： 80@10mA，5V

工作溫度： -55°C~150°C(TJ)

封裝/外殼： TO-236-3，SC-59

ON Semiconductor（NASDAQ 代碼： ON）推動能效創新，幫助客戶減少總體能源使用。公司提供類型全面的產品組合，具體包括高能效電源和信號管理、邏輯、分立和定制解決方案，能幫助設計工程師解決在汽車、通信、計算、消費電子、工業、LED 照明、醫療、軍事/航空航天和電源應用方面的獨特設計難題。ON Semiconductor 擁有全球一流、響應迅速的可靠供應鏈和質量程序，在北美、歐洲和亞太地區的主要市場中運營著包括制造工廠、銷售辦事處及設計中心在內的網絡。