品牌: FAIRCHILD/仙童
商品類型: MOS(場效應管)
漏源電壓(Vdss): 400V
連續漏極電流(Id)(25°C 時): 30A
柵源極閾值電壓: 5V @ 250uA
漏源導通電阻: 140mΩ @ 15A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C): 290W
類型: N溝道
Fairchild飛兆半導體公司的歷史可以追溯至1957年,當時,ShermanMillsFairchild,仙童公司的創立者,組織了一些科學家在美國加州研究晶體管制造新工藝,其中有RobertNevce和GordonMoore,就是現在Intel公司的創立者。1959年研究成功平面工藝制造技術,從此,平面技術成為晶體管制造的基本方法。
仙童公司總部設在美國緬因州的波特蘭市,下屬三個業務單元:即南波特蘭的邏輯組、加州Sunnyvale的分離功率和信號組、猶他州WestJordan的模擬、混合信號和非易失存儲器件組。公司在美國和韓國擁有四座晶片生產廠,在菲律賓宿務市和馬來西亞建有組裝檢測工廠。公司采用世界級4、5、6-inch硅片工藝生產邏輯、模擬、混合信號IC和分立元件。南波特蘭市是最大的生產基地。
Fairchild飛兆半導體在功率和信號路徑產品的專業知識幫助客戶差異化的產品和解決困難的技術挑戰。我們的全球團隊的技術專家聽,應對和預期的主要制造商的需求,提供定制的硅解決方案和用人企業設計,幫助他們保持競爭優勢的政策。多年來,仙童公司總是以不斷的技術革新而贏得世界的目光,從工業領先技術如FAST&8432、先進肖特基TTL邏輯系列到今天的ASSPEEPROM、ACEX、PowerTrench&8432、MOSFET、LCX和VHC技術。提供電源和移動設計節能,易于使用的半導體解決方案。我們的高性能半導體優化能源,使如電源,便攜式,照明,電機,計算機,消費電子和汽車應用中的移動連接。