內存（J3 65 nm）每單元一位（SBC）設備功能，操作和
規格。
除非在本文檔的其余部分中另有說明，否則Numonyx®
嵌入式閃存（J3 65 nm）每單元一位（SBC）設備稱為
J3 65 nm SBC。
J3 65 nm SBC器件具有增強的主流性能和增強的性能。
安全特性，利用基于NOR的高質量和高可靠性
65納米技術。 J3 65 nm提供128 Mbit，64 Mbit和32 Mbit密度
SBC器件具有可靠的低壓功能（3 V讀取，編程和擦除），
高速，低功耗運行。 J3 65 nm SBC器件利用了久經考驗的優勢
有制造經驗，是高代碼和數據應用程序的理想選擇
需要密度和低成本，例如在網絡，電信，數字
機頂盒，錄音和數字影像。恒憶閃存
組件還提供了新一代的前向兼容軟件支持。通過
使用通用閃存接口（CFI）和可擴展命令集（SCS），客戶
可以利用密度升級和未來優化的寫入功能
Numonyx閃存設備。
產品特色：JS28F640J3F75A
建筑
—對稱的128 KB塊
— 128 Mbit（128個塊）
— 64 Mbit（64塊）
— 32 Mbit（32塊）
—空白檢查以確認擦除的塊
„性能
—初始訪問速度：75ns
— 25 ns 8字異步頁面模式
讀
—用于x16模式的256字寫緩沖區，256-
x8模式的字節寫緩沖區；
每字節1.41 μs有效編程
時間
系統電壓
-VCC = 2.7 V至3.6 V
— VCCQ = 2.7 V至3.6 V
包裝
— 56引腳TSOP
— 64球Easy BGA封裝
安全
—增強的代碼安全性選項
保護
— VPEN = Vss的絕對保護
—單個塊鎖定
—斷電時阻止擦除/程序鎖定
過渡
—密碼訪問功能
—一次性可編程寄存器：
64個OTP位，使用唯一編程
恒憶提供的信息
64 OTP位，可供客戶使用
程式設計
軟件
-編程和清除暫掛支持
—Numonyx®閃存數據集成器（FDI）
—兼容通用閃存接口（CFI）
—可擴展命令集
„質量與可靠性
—工作溫度：
-40°C至+85°C
—每塊最小100K擦除周期
— 65納米閃存技術
—符合JESD47E
制造商: Micron Technology
產品種類: NOR閃存
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TSOP-56
系列: J3
存儲容量: 64 Mbit
電源電壓-最小: 2.7 V
電源電壓-最大: 3.6 V
有源讀取電流（最大值）: 70 mA
接口類型: Parallel
組織: 8 M x 8/4 M x 16
數據總線寬度: 8 bit/16 bit
定時類型: Asynchronous
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
封裝: Tray
存儲類型: NOR
速度: 75 ns
商標: Micron
電源電流—最大值: 70 mA
產品類型: NOR Flash
標準: Common Flash Interface (CFI)
工廠包裝數量: 576
子類別: Memory & Data Storage
商標名: Numonyx
