描述：MT29F32G08CBADBWPR:D

32G MLC 4Gx8閃存TSOP
分類路徑內存>內存芯片>閃存

DDR4 SDRAM是一種高速動態隨機存取存儲器，內部配置為用于x16配置的八存儲區DRAM和用于x16配置的16存儲區DRAM。


特征：MT29F32G08CBADBWPR:D
•VDD = VDDQ = 1.2V±60mV
•VPP = 2.5V，–125mV，+ 250mV
•片上內部可調VREFDQ生成
•1.2V偽漏極開路I / O
•在TC溫度范圍內的刷新時間為8192個周期：
– -40°C至85°C時為64ms
–> 85°C至95°C時為32ms
–> 95°C至105°C時16ms
•16個內部銀行（x4，x8）：4組，每組4個銀行
•8個內部銀行（x16）：2組，每組4個銀行
•8n位預取架構
•可編程數據選通脈沖前導
•數據選通前導訓練
•命令/地址延遲（CAL）
•多用途寄存器的讀取和寫入功能
•寫作練級
•自刷新模式
•低功耗自動自刷新（LPASR）
•溫控刷新（TCR）
•細粒度刷新
•自刷新中止
•最大程度的節能
•輸出驅動器校準
•標稱，暫存和動態片上終止
（ODT）
•數據總線的數據總線反轉（DBI）
•命令/地址（CA）奇偶校驗
•數據總線寫循環冗余校驗（CRC）
•每個DRAM的尋址能力
•連接測試
•符合JEDEC JESD-79-4

•sPPR和hPPR功能

MT29F32G08CBADBWPR:D

制造商: Micron Technology
產品種類: NAND閃存
RoHS: 詳細信息
系列: MT29F
封裝: Tray
產品: NAND Flash
商標: Micron
濕度敏感性: Yes
產品類型: NAND Flash
工廠包裝數量: 960
子類別: Memory & Data Storage
單位重量: 6 g