IRFB3207PBF，原裝正品，熱銷現貨。

商品目錄 功率MOSFET
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 260nC @ 10V
柵極電壓Vgs ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 7600pF @ 50V
Pd-功率耗散(Max) 330W(Tc)
工作溫度 -55°C~175°C(TJ)
系列 HEXFET®
驅動電壓@Rds On（Max),Rds On(Min） 10V
不同Id時的Vgs（th）（最大值） 4V @ 250µA
不同Vgs時的柵極電荷（Qg）（最大值） 260nC @ 10V
不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值） 7600pF @ 50V
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.5mΩ@75A,10V
FET類型 N-Channel
漏源極電壓Vds 75V
連續漏極電流Id 170A
封裝/外殼 TO-220AB

本公司熱銷現貨 IRFB3207PBF
ACS710KLATR-6BB-T
LPC1788FBD208
FGA40N66SMD
STM32F103C8T6
EXC14CT900U
DSPIC30F4011-30I/PT
IKW75N60H3/PG
UJA1168ATK/0Z
IKW50N65EH5
AT24C08C-SSHM-T
TPS82693SIPR
TLV7113318DDSER
PCM1754DBQR
HC89S003F4
TLV73318PDQNR
TLV73333PDBVR
LSF0102DQER
TXS0102DQER
PCM1754DBQR