制造商: STMicroelectronics
產品種類: 雙極晶體管 - 雙極結型晶體管(BJT)
RoHS: 詳細信息
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: NPN
配置: Single
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 450 V
集電極—基極電壓 VCBO: 800 V
發射極 - 基極電壓 VEBO: 9 V
集電極—射極飽和電壓: 1.1 V
最大直流電集電極電流: 4 A
Pd-功率耗散: 70 W
最小工作溫度: - 65 C
最大工作溫度: + 150 C
系列: BUL39D
高度: 9.15 mm
長度: 10.4 mm
技術: Si
寬度: 4.6 mm
商標: STMicroelectronics
集電極連續電流: 4 A
直流集電極/Base Gain hfe Min: 4
產品類型: BJTs - Bipolar Transistors
工廠包裝數量: 1000
子類別: Transistors
單位重量: 6 g
