描述：STF25NM60ND

這些FDmesh™II功率MOSFET具有
產生本征快速恢復體二極管
使用第二代MDmesh™
技術。 使用新的垂直布局
結構，這些革命性的設備具有
極低的導通電阻
開關性能。 它們是橋梁的理想選擇
拓撲和ZVS相移轉換器


特征：STF25NM60ND
■全球最佳RDS（on）*區域
快速恢復二極管器件
■經過100％雪崩測試
■低輸入電容和柵極電荷
■低柵極輸入電阻
■極高的dv / dt和雪崩

能力

應用：STF25NM60ND

■切換應用

STF25NM60ND

制造商: STMicroelectronics
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V
Id-連續漏極電流: 21 A
Rds On-漏源導通電阻: 160 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 25 V, + 25 V
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 40 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
配置: Single
高度: 9.3 mm
長度: 10.4 mm
系列: STB25NM60N
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 4.6 mm
商標: STMicroelectronics
下降時間: 40 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 30 ns
工廠包裝數量: 1000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 50 ns
典型接通延遲時間: 60 ns
單位重量: 330 mg