描述：STP11NK50Z
SuperMESH™系列可通過以下方式獲得：對ST的完善進行了徹底的優化
基于條帶的PowerMESH™布局。 此外
大大降低導通電阻，特別
注意確保非常好的dv / dt
最苛刻的應用程序的能力
特征：STP11NK50Z
■極高的dv / dt功能
■經過100％雪崩測試
■柵極電荷最小化
■極低的固有電容
■切換應用
制造商: STMicroelectronics
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 500 V
Id-連續漏極電流: 10 A
Rds On-漏源導通電阻: 520 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 49 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 125 W
通道模式: Enhancement
商標名: SuperMESH
封裝: Tube
配置: Single
高度: 9.15 mm
長度: 10.4 mm
系列: STP11NK50Z
晶體管類型: 1 N-Channel Power MOSFET
類型: MOSFET
寬度: 4.6 mm
商標: STMicroelectronics
正向跨導 - 最小值: 7.7 S
下降時間: 15 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 18 ns
工廠包裝數量: 1000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 41 ns
典型接通延遲時間: 14.5 ns
單位重量: 1.438 g
