描述：STP110N8F6
該器件是一個N溝道功率MOSFET使用STripFET™F6技術開發的
新的溝槽門結構。 所結果的
功率MOSFET的RDS（on）極低
包。
特征：STP110N8F6
•導通電阻非常低
•極低的柵極電荷
•高雪崩強度
•低柵極驅動功率損耗
•切換應用
制造商: STMicroelectronics
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 80 V
Id-連續漏極電流: 110 A
Rds On-漏源導通電阻: 6.5 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.5 V
Qg-柵極電荷: 150 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 200 W
通道模式: Enhancement
商標名: STripFET
封裝: Tube
配置: Single
高度: 15.75 mm
長度: 10.4 mm
系列: STP110N8F6
晶體管類型: 1 N-Channel Power MOSFET
寬度: 4.6 mm
商標: STMicroelectronics
下降時間: 48 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 61 ns
工廠包裝數量: 1000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 162 ns
典型接通延遲時間: 24 ns
單位重量: 330 mg
