5G智能手機的出貨量逐漸擺脫了去年新冠肺炎疫情的影響，一路“節節高升”。受巨大終端市場需求驅動，移動端DRAM需求亦水漲船高，造成業界供給增量有限、整體供給低于需求的局面。市場需求暴漲、供應嚴重吃緊，作為全球存儲器市場的一大巨頭，SK海力士的產能已經爆滿，因此擴產可謂順勢而為、勢在必行。此前，SK海力士產業投資主席李丙德曾表示,公司正積極應對芯片供應緊張的局面,在積極滿足市場需求的同時,將努力擴大戰略性產品的比重。現在看來，耗巨資來建工廠似乎是“積極應對芯片供應緊張局面”的重要舉措之一。擴產背后，除了建造新廠來擴大產能、滿足日益增長的市場需求之外，李丙德口中的SK海力士似乎更為“深謀遠慮”。記者注意到。
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日前李丙德有提到SK海力士將“努力擴大戰略性產品的比重”。簡單的擴產動作背后，SK海力士或將再盤更大的“棋局”。李丙德的說法與SK海力士CEO李錫熙的講話內容形成了呼應。在今日舉行的IEEE國際可靠性物理研討會（IRPS）上，李錫熙對SK海力士的核心業務——DRAM和NAND芯片進行了細致描摹。目前，SK海力士最新的3DNAND是512Gb176層堆疊的3DNAND，但3DNAND有沒有可能用600層堆疊？比起176層堆疊的3DNAND，600層似乎是對現有工藝和技術的極大挑戰。但是，根據李錫熙分享的有關SK海力士的業務計劃，600層堆疊的3DNAND并非完全空想。李錫熙稱，SK海力士已經開始了實現這種可能性的研發進程。
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DUV光刻技術存在局限性，而通過引入和積極使用EUV光刻技術，能夠克服來自材料、結構、可靠性等方面的種種挑戰，使制程工藝輕易達到10nm以下，以此提升生產效率。李錫熙希望，未來10年內，SK海力士能夠大規模量產采用10nm工藝的DRAM和600層堆疊的3DNAND。當然，愿望的實現從來都不是一蹴而就的。比如，為了保持單元電容，就需要改善電介質厚度，開發具有高介電常數的新材料，并采用新的單元結構。由于這些單元的互連需要盡可能低的電阻，SK海力士正在尋找新一代電極與絕緣材料，并且推出新的工藝。很多時候，我們看產業江湖的大變局，似乎只在眨眼間，但其實不然，每個變局都需要很長的鋪墊。就像茨威格所言“每個歷史尖峰時刻。
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