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HMC849ALP4CETR

發布時間:2021/4/25 22:22:00 訪問次數:203 發布企業:西旗科技(銷售二部)





描述:HMC849ALP4CETR

HMC849ALP4CE是一款高隔離度非反射直流至6 GHz GaAs pHEMT SPDT開關
成本低廉的表面貼裝封裝。 開關是
蜂窩/ WiMAX / 4G基礎設施應用的理想選擇,可產生高達60 dB的隔離度,低0.8 dB的插入損耗和+52 dBm的輸入IP3。 電源處理
在5-6 GHz WiMAX頻段上表現出色
開關提供P1dB的壓縮點
+31 dBm。 片上電路允許單個正極
在非常低的直流電壓下0 / + 3V或0 / + 5V的電壓控制
潮流。 將啟用輸入(EN)設置為邏輯高電平將使
開關處于“全關”狀態


特點:HMC849ALP4CETR
高隔離度:高達60 dB
單正控制:0 / + 3V至+ 5V
高輸入IP3:+52 dBm
無反光設計
“全滅”狀態
16引線4x4 mm QFN封裝:16mm2


典型應用:HMC849ALP4CETR
HMC849ALP4CE非常適合:
•蜂窩/ 4G基礎架構
•WiMAX,WiBro和固定無線
•汽車遠程信息處理
•移動電臺

• 測驗設備


HMC849ALP4CETR

制造商: Analog Devices Inc.
產品種類: RF 開關 IC
RoHS: 詳細信息
開關數量: Dual
開關配置: SPDT
工作頻率: DC to 6 GHz
介入損耗: 0.9 dB
關閉隔離—典型值: 60 dB
最大工作溫度: + 85 C
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: QFN-16
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
系列: HMC849
技術: GaAs
商標: Analog Devices
最小工作溫度: - 40 C
濕度敏感性: Yes
工作電源電流: 1.3 mA
Pd-功率耗散: 0.969 W
產品類型: RF Switch ICs
工廠包裝數量: 500
子類別: Wireless & RF Integrated Circuits
電源電壓-最大: 5 V
電源電壓-最小: 3 V
單位重量: 57.100 mg

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