一般說明：HMC1113LP5ETR
HMC1113LP5E是緊湊型GaAs MMIC I / Q5 x 5 mm無引線低應力下變頻器注塑塑料表面貼裝封裝。該設備提供小信號轉換增益為12 dB，噪聲系數為1.8 dB和25 dBc的鏡像抑制。 HMC1113LP5E利用LNA，然后是圖像抑制混頻器由LO緩沖放大器驅動。圖片拒絕混合器消除了對過濾器的需要
LNA，并消除圖像上的熱噪聲頻率。提供I / Q混頻器輸出，并提供需要外部90°混合動力以選擇所需的邊帶。 HMC1113LP5E小得多
混合樣式圖像抑制混頻器的替代品下變頻器組件，因此不再需要通過允許使用表面貼裝來進行引線鍵合制造技術。
特點：HMC1113LP5ETR
轉換增益：12 dB
鏡像抑制：25 dBc
LO至RF隔離度：45 dB
噪聲系數：1.8 dB
輸入IP3：1 dBm
32引線5 x 5毫米SMT封裝
應用：HMC1113LP5ETR
HMC1113LP5E非常適合：
•點對點和點對多點無線電
•軍用雷達，電子戰和電子戰
•衛星通訊
•海上和移動廣播
制造商: Analog Devices Inc.
產品種類: 上下轉換器
RoHS: 詳細信息
產品: Down Converters
射頻: 10 GHz to 16 GHz
中頻: DC to 3.5 GHz
LO頻率: -
增益: 12 dB
P1dB - 壓縮點: - 7 dBm
NF—噪聲系數: 1.8 dB
工作電源電壓: 3 V, 4 V
工作電源電流: 60 mA, 100 mA
最大工作溫度: + 85 C
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: QFN-32
封裝: Reel
系列: HMC1113
技術: GaAs
商標: Analog Devices
最小工作溫度: - 40 C
Pd-功率耗散: 1.066 W
產品類型: Up-Down Converters
工廠包裝數量: 500
子類別: Wireless & RF Integrated Circuits
單位重量: 188.600 mg
