用于執行的外部RAM。 AT25DF081A的靈活擦除架構，其擦除粒度小
高達4 KB，因此也非常適合數據存儲，無需額外的數據存儲EEPROM
設備。
AT25DF081A的物理扇區和擦除塊大小已經過優化，可以滿足AT25DF081A的需求。
當今的代碼和數據存儲應用程序。通過優化物理扇區和擦除塊的大小，
存儲空間的使用效率更高。因為某些代碼模塊和數據存儲段
必須自己駐留在它們自己的受保護扇區中，從而浪費和未使用的內存空間
大扇區和大塊擦除的閃存設備可以大大減少。這增加了內存空間
效率允許添加其他代碼例程和數據存儲段，同時仍保持相同
總體設備密度。
AT25DF081A還提供了一種復雜的方法來保護各個扇區免受錯誤或惡意的編程和擦除操作的侵害。通過提供分別保護和取消保護扇區的能力，系統
可以取消保護特定扇區以修改其內容，同時保留內存陣列的其余扇區
安全保護。這對于在子例程或
基于模塊的應用程序，或需要修改數據存儲段而又不冒以下風險的應用程序
對程序代碼段的錯誤修改。除了個人部門保護功能，
AT25DF081A整合了Global Protect和Global Unprotect功能，可將整個存儲陣列
一次受保護或不受保護。由于部門，這減少了制造過程中的開銷
不必在初始編程之前一一解除保護。
為了使代碼和數據保護更上一層樓，AT25DF081A集成了扇區鎖定機制
這樣就可以鎖定單個64 KB扇區的任意組合，并成為永久只讀。
這滿足了某些安全應用程序的需求，這些應用程序需要永久保護閃存陣列的某些部分，以防止惡意嘗試更改程序代碼，數據模塊，安全信息或
加密/解密算法，密鑰和例程。該設備還包含專門的OTP（一次性可編程）安全寄存器，可用于諸如唯一的設備序列化，系統級等目的
電子序列號（ESN）存儲，鎖定密鑰存儲等
專為3伏系統設計的AT25DF081A支持讀取，編程和擦除操作
電源電壓范圍為2.7V至3.6V。編程和擦除不需要單獨的電壓。
特征：AT25DF081A-SH-T
•2.7V-3.6V單電源
•兼容串行外設接口（SPI）
–支持SPI模式0和3
–支持RapidS™操作
–支持雙輸入程序和雙輸出讀取
•很高的工作頻率
– RapidS為100MHz
– 85MHz的SPI
–最大5ns的時鐘輸出（tV）
•針對代碼和數據存儲應用程序的靈活，優化的擦除架構
–統一的4 KB塊擦除
–統一的32 KB塊擦除
–統一的64 KB塊擦除
–全片擦除
•具有全局保護/取消保護功能的單個部門保護
–每個16個扇區，每個64 KB
•通過WP引腳進行硬件控制的受保護扇區鎖定
•部門鎖定
–使任何組合的64 KB扇區永久為只讀
•128字節可編程OTP安全寄存器
•靈活的編程
–字節/頁程序（1到256字節）
•快速編程和擦除時間
– 1.0ms典型頁面編程（256字節）時間
– 50ms典型4KB塊擦除時間
– 250ms典型的32 KB塊擦除時間
–典型的64KB塊擦除時間為400ms
•自動檢查和報告擦除/程序故障
•軟件控制的復位
•JEDEC標準制造商和設備ID讀取方法
•低功耗
– 5mA的有效讀取電流（典型值為20MHz）
– 5μA的深度掉電電流（典型值）
•耐久性：100,000個編程/擦除周期
•數據保留：20年
•符合完整的工業溫度范圍
•行業標準綠色（無鉛/無鹵/符合RoHS）包裝選項
– 8引線SOIC（寬150密耳和208密耳）
– 8焊盤超薄DFN（5 x 6 x 0.6mm）
制造商: Adesto Technologies
產品種類: NOR閃存
RoHS: 詳細信息
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOIC-8
系列: AT25DF081A
存儲容量: 8 Mbit
電源電壓-最小: 2.7 V
電源電壓-最大: 3.6 V
有源讀取電流（最大值）: 20 mA
接口類型: SPI
最大時鐘頻率: 85 MHz
組織: 1 M x 8
數據總線寬度: 8 bit
定時類型: Synchronous
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
存儲類型: NOR
速度: 85 MHz
結構: Block Erase
商標: Adesto Technologies
電源電流—最大值: 20 mA
產品類型: NOR Flash
工廠包裝數量: 2000
子類別: Memory & Data Storage
單位重量: 540 mg
