製造商: ROHM Semiconductor
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: SOT-363-6
晶體管極性: P-Channel
通道數: 2 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 30 V
Id - C連續漏極電流: 200 mA
Rds On - 漏-源電阻: 900 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 2.5 V
Qg - 閘極充電: -
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 150 mW
通道模式: Enhancement
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Dual
系列: UM6J1N
晶體管類型: 2 P-Channel
品牌: ROHM Semiconductor
互導 - 最小值: 0.2 S
下降時間: 40 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 5 ns
原廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
標準斷開延遲時間: 30 ns
標準開啟延遲時間: 8 ns
零件號別名: UM6J1N
每件重量: 7.500 mg