描述：CSD88539ND
這款雙SO-8、60 V，23mΩNexFET功率MOSFET設計用作低電流電機控制應用中的半橋。

產品特性：CSD88539ND
超低Qg和Qgd
雪崩等級
無鉛
符合RoHS
無鹵素

制造商:CSD88539ND
Texas Instruments
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
SOIC-8
晶體管極性:
N-Channel
通道數量:
2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
60 V
Id-連續漏極電流:
15 A
Rds On-漏源導通電阻:
28 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:
2.6 V
Qg-柵極電荷:
7.2 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
2.1 W
通道模式:
Enhancement
商標名:
NexFET
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
配置:
Dual
高度:
1.75 mm
長度:
4.9 mm
系列:
CSD88539ND
晶體管類型:
2 N-Channel Power MOSFET
寬度:
3.9 mm
商標:
Texas Instruments
下降時間:
4 ns
產品類型:
MOSFET
上升時間:
9 ns
工廠包裝數量:
2500
子類別:
MOSFETs
典型關閉延遲時間:
14 ns
典型接通延遲時間:
5 ns
單位重量:
540 mg