一個包含兩個1Gb裸片的2Gb堆疊設備。它由A [max]選擇。而
A [max] = 0，選擇較低的1Gb裸片，而A [max] = 1，則選擇較高的1Gb裸片
已選擇。讀取，擦除和編程操作使用單個低壓電源執行。上電后，設備默認為讀取陣列模式。
主存儲器陣列分為統一的塊，可以獨立擦除這些塊，以便在清除舊數據時可以保留有效數據。程序和擦除
命令被寫入存儲器的命令接口。片上程序/
擦除控制器通過以下操作簡化了編程或擦除存儲器的過程
注意更新內存內容所需的所有特殊操作。一個結束
可以檢測到PROGRAM或ERASE操作，并且可以識別任何錯誤情況。控制設備所需的命令集與JEDEC標準一致。
CE＃，OE＃和WE＃控制設備的總線操作，并實現與大多數微處理器的簡單連接，而通常無需附加邏輯。
該設備支持異步隨機讀取和頁讀取的所有塊
數組。它還具有一個內部程序緩沖區，可通過一個命令序列對512個字進行編程，從而提高了吞吐量。 512字擴展存儲塊與數組塊0的地址重疊。用戶可以對此附加空間進行編程，然后
保護它以永久保護內容。該設備還具有不同級別的功能
硬件和軟件保護，以保護塊免受不必要的修改。
自動節電功能可在讀取期間提供低功耗操作。
從存儲器陣列讀取數據并且地址線處于靜態之后，自動節電功能將器件電流降低至低的ICCAPS值。
在自動省電模式下，在發生以下事件后的5ms內，在5ms時間間隔內測量平均電流：
•沒有發生內部讀取，編程或擦除活動
•RST＃無效，CE＃有效
•所有其他信號均為靜態，并且處于VSS或VCCQ
特征：MT28FW02GBBA1HPC-0AAT
•2Gb堆疊設備（兩個1Gb裸片）
•單層電池（SLC）工藝技術
• 電源電壓
– VCC = 2.7–3.6V（編程，擦除，讀取）
– VCCQ = 1.65–VCC（I / O緩沖器）
•異步隨機/頁面讀取
–頁面大小：16個字
–頁面訪問：20ns（VCC = VCCQ = 2.7–3.6V）
–隨機訪問：105ns（VCC = VCCQ = 2.7–3.6V）
–隨機存取：110ns（VCCQ = 1.65–VCC）
•緩沖區程序（512字程序緩沖區）
–使用完整的緩沖程序時為2.0 MB / s（TYP）
–使用加速緩沖區時為2.5 MB / s（TYP）
程式（VHH）
•字編程：每字25μs（TYP）
•塊擦除（128KB）：0.2s（典型值）
•記憶組織
–統一塊：每個128KB或64KW
– x16數據總線
•編程/擦除暫停和恢復功能
–在編程期間從另一個塊讀取
暫停操作
–在ERASE期間讀取或編程另一個塊
暫停操作
•解鎖旁路，塊擦除，管芯擦除和寫入
緩沖能力
•BLANK CHECK操作以驗證擦除的塊
•循環冗余校驗（CRC）操作
驗證程序模式
•VPP / WP＃保護
–保護第一個或最后一個塊，無論哪個塊
保護設置
•軟件保護
–揮發性保護
–非易失性保護
–密碼保護
•擴展內存塊
– 512字的塊，用于永久，安全地識別
–在工廠或由編程人員編程或鎖定
顧客
•符合JESD47
–每個塊100,000個（最小）ERASE周期
–數據保留：20年（TYP）
•包裝
– 64球LBGA，11mm x 13mm（PC）
•符合RoHS，無鹵素包裝
•汽車工作溫度
–環境：–40°C至105°C
制造商: Micron Technology
產品種類: NOR閃存
RoHS: 詳細信息
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: LBGA-64
系列: MT28FW
存儲容量: 2 Gbit
電源電壓-最小: 2.7 V
電源電壓-最大: 3.6 V
有源讀取電流（最大值）: 50 mA
接口類型: Parallel
組織: 128 M x 16
數據總線寬度: 16 bit
定時類型: Asynchronous
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 105 C
封裝: Tray
速度: 105 ns
商標: Micron
電源電流—最大值: 50 mA
濕度敏感性: Yes
產品類型: NOR Flash
工廠包裝數量: 1104
子類別: Memory & Data Storage
單位重量: 2.240 g
