描述：CSD18532KCS
這款60 V，3.3mΩ，TO-220 NexFET功率MOSFET旨在最大程度地減少功率轉換應用中的損耗。

產品特性：CSD18532KCS
超低Qg和Qgd
低熱阻
雪崩等級
邏輯水平
無鉛端子電鍍
符合RoHS
無鹵素
TO-220塑料包裝

制造商:CSD18532KCS
Texas Instruments
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
Through Hole
封裝 / 箱體:
TO-220-3
晶體管極性:
N-Channel
通道數量:
1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
60 V
Id-連續漏極電流:
169 A
Rds On-漏源導通電阻:
4.2 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:
1.5 V
Qg-柵極電荷:
44 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 175 C
Pd-功率耗散:
250 W
通道模式:
Enhancement
商標名:
NexFET
封裝:
Tube
配置:
Single
高度:
16.51 mm
長度:
10.67 mm
系列:
CSD18532KCS
晶體管類型:
1 N-Channel
寬度:
4.7 mm
商標:
Texas Instruments
正向跨導 - 最小值:
187 S
下降時間:
5.6 ns
產品類型:
MOSFET
上升時間:
5.3 ns
工廠包裝數量:
50
子類別:
MOSFETs
典型關閉延遲時間:
24.2 ns
典型接通延遲時間:
7.8 ns
單位重量:
6 g