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CSD18509Q5B

發布時間:2021/6/10 9:38:00 訪問次數:79 發布企業:深圳市科雨電子有限公司

製造商: Texas Instruments
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: VSON-CLIP-8
晶體管極性: N-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 40 V
Id - C連續漏極電流: 50 A
Rds On - 漏-源電阻: 1.3 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 1.4 V
Qg - 閘極充電: 150 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 195 W
通道模式: Enhancement
公司名稱: NexFET
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 1 mm
長度: 6 mm
系列: CSD18509Q5B
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 5 mm
品牌: Texas Instruments
下降時間: 11 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 19 ns
原廠包裝數量: 2500
子類別: MOSFETs
標準斷開延遲時間: 57 ns
標準開啟延遲時間: 9 ns
每件重量: 134.400 mg

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