一般說明：GD32F150G8U6TR
GD32F150G8U6TR 器件屬于 GD32 MCU 系列的價值線。它是一個 32 位基于高性能 ARM® Cortex®-M3 RISC 的通用微控制器在處理能力、降低功耗和外圍集。 Cortex®-M3 是緊耦合的下一代處理器內核帶有嵌套向量中斷控制器 (NVIC)、SysTick 計時器和高級調試支持。
GD32F150G8U6TR 器件集成了 ARM® Cortex®-M3 32 位處理器內核在 72 MHz 頻率下，閃存訪問零等待狀態以獲得最大效率。它提供高達 64 KB 的片上閃存和高達 8 KB 的 SRAM 存儲器。一個廣泛的連接到兩條 APB 總線的一系列增強型 I/O 和外圍設備。這些設備提供了一個12 位 ADC、一個 12 位 DAC 和兩個比較器、最多五個通用 16 位定時器、一個通用 32 位定時器、基本定時器、PWM 高級控制定時器以及標準和高級通信接口：多達兩個 SPI、兩個 I2C、兩個 USART、一個I2S、HDMI-CEC、TSI 和 USBD。該器件采用 2.6 至 3.6 V 電源供電，溫度范圍為 –40 至 +85 °C溫度范圍。幾種省電模式提供了最大程度的靈活性喚醒延遲和功耗之間的優化，一個特別重要的低功率應用中的考慮。上述特點使 GD32F150G8U6TR 器件適用于廣泛的應用，特別是在工業控制、電機驅動、用戶界面、功率監視器和警報系統、消費類和手持設備、游戲和 GPS、電動自行車等。
功能說明：GD32F150G8U6TR
3.1. ARM® Cortex®-M3 內核
Cortex®-M3 處理器是用于嵌入式的最新一代 ARM® 處理器
系統。它的開發目的是提供一個滿足 MCU 需求的低成本平臺
實施，具有減少的引腳數和低功耗，同時提供
出色的計算性能和對中斷的高級系統響應。
32 位 ARM® Cortex®-M3 處理器內核
高達 72 MHz 的工作頻率
單周期乘法和硬件除法器
集成嵌套向量中斷控制器 (NVIC)
24 位 SysTick 定時器
Cortex®-M3 處理器基于 ARMv7 架構，支持 Thumb
和 Thumb-2 指令集。下面列出的一些系統外圍設備也由
Cortex®-M3：GD32F150G8U6TR
內部總線矩陣連接 ICode 總線、DCode 總線、系統總線、Private
外設總線 (PPB) 和調試訪問 (AHB-AP)
嵌套向量中斷控制器 (NVIC)
閃存補丁和斷點 (FPB)
數據觀察點和跟蹤（DWT）
儀器跟蹤宏單元 (ITM)
串行線 JTAG 調試端口 (SWJ-DP)
跟蹤端口接口單元 (TPIU)
3.2.片上存儲器
高達 64 KB 的閃存
高達 8 KB 的 SRAM，帶硬件奇偶校驗
ARM® Cortex®-M3 處理器采用哈佛架構，可使用
單獨的總線來獲取指令和加載/存儲數據。 64 KB 內部閃存和 8
最多 KB 的內部 SRAM 可用于存儲程序和數據，兩者都被訪問
(R/W) 在 CPU 時鐘速度下為零等待狀態。表2-2。 GD32F150G8U6TR 內存
圖為GD32F150G8U6TR系列器件的內存映射，包括代碼、SRAM、
外圍和其他預定義區域。
3.3.時鐘、復位和電源管理
內部 8 MHz 工廠微調 RC 和外部 4 至 32 MHz 晶振
內部 40 KHz RC 校準振蕩器和外部 32.768 KHz 晶體振蕩器
集成系統時鐘鎖相環
2.6 至 3.6 V 應用電源和 I/O
電源監控器：POR（上電復位）、PDR（掉電復位）和低電壓
檢測器 (LVD)
時鐘控制單元 (CCU) 提供了一系列振蕩器和時鐘功能。這些
包括高速內部RC振蕩器和外部晶體振蕩器，高速和低速
兩種類型。幾個預分頻器允許 AHB 和兩個 APB 的頻率配置
域。 AHB 和兩個 APB 域的最大頻率為 72 MHz。見圖
2-6。 GD32F150G8U6TR 時鐘樹，了解時鐘樹的詳細信息。
復位控制單元 (RCU) 控制三種復位： 系統復位
處理器內核和外圍 IP 組件。上電復位（POR）和掉電復位
(PDR) 始終處于活動狀態，并確保從 2.6V 開始到 1.8V 正常運行。
當 VDD 低于指定閾值時，器件保持在復位模式。嵌入式
低電壓檢測器 (LVD) 監控電源，將其與電壓閾值進行比較
并產生中斷作為警告信息，引導 MCU 進入安全狀態。
供電方案：GD32F150G8U6TR
VDD 范圍：2.6 到 3.6 V，I/O 和內部穩壓器的外部電源。
通過 VDD 引腳從外部提供。
VSSA、VDDA 范圍：2.6 至 3.6 V，ADC 的外部模擬電源、復位模塊、
RC 和 PLL。 VDDA 和 VSSA 必須分別連接到 VDD 和 VSS。
VBAT r電壓：1.8 至 3.6 V，RTC 電源，外部時鐘 32 kHz 振蕩器和
當 VDD 不存在時備份寄存器（通過電源開關）。
3.4. 啟動模式：GD32F150G8U6TR
啟動時，引導引腳用于選擇三個引導選項之一：
從主閃存啟動（默認）
從系統內存啟動
從片上 SRAM 啟動
默認情況下，選擇從主閃存引導。 引導加載程序位于
內部引導 ROM 存儲器（系統存儲器）。 它用于重新編程閃存
通過在設備中使用 USART0（PA9 和 PA10）或 USART1（PA2 和 PA3、PA14 和 PA15）
模式。
詳細參數:GD32F150G8U6TR
參數名稱參數值
生命周期聯系制造商
IHS 制造商 GIGADEVICE SEMICONDUCTOR INC
訂貨包裝代碼 QFN28
包裝說明 QFN-28
達到合規代碼未知
風險等級 5.82
最大速度 (MHz) 72
內存（字節） 閃存 64K
內存（字節） SRAM 8K
I/O 高達 24
定時器 GPTM（32 位）1
定時器 GPTM (16 位) 5
定時器高級 TM (16bit) 1
定時器基本 TM (16bit) 1
定時器 SysTick (24 位) 1
定時器 WDG 2
定時器 RTC 1
連通性 USART 2
連接 I2C 2
連接 SPI 2
連接 USB 2 FS 1
連接 I2S 1
連通性比較
連接運算放大器
模擬接口 12 位 ADC 單元 (CH) 1(10)
模擬接口 12 位 DAC 單元 1
封裝 QFN28
以下物料均有現貨庫存：GD32F150G8U6TR
GD32F103RCT6
GD32F103CBT6
GD32F107RCT6
GD32F103C8T6
GD32F130C8T6
GD32F130F8P6TR
GD32F150C8T6
GD32F150G8U6
GD32F103VBT6
GD32F103RBT6
GD32F103TBU6
GD32F103VCT6
GD32F103VGT6
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GD32F105RCT6
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GD32F303VET6
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GD32F303RGT6
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